中国粉体网10月23日讯 摩尔定律预测，只需不断缩小芯片尺寸，芯片密度就能持续增加。但不幸的是，随着硅片层厚度缩小至纳米级，它们的电阻趋于增大，影响了密度进一步增加的效用，潜在阻碍了摩尔定律。 威斯康辛大学研究人员偶然发现了扭转这一趋势的表面处理方法，使纳米级硅薄膜变薄时传导性更佳，从而将摩尔定律延伸到原子尺寸。 这所大学材料科学和工程教授Paul Evans表示：“如果你把硅片制成一半厚，你预计传导性也是一半。可是我们发现，如果表面经过良好处理，硅片能在纳米级传导得更好。” 与Evans合作的有同事Mark Eriksson、Irena Knezevic和Max Lagally教授及研究科学家Donald Savage和博士生候选人Pengpeng Zhang、Emma Tevaarwerk和Byoung-Nam Park。 研究团队发现，当硅层薄到200纳米以下厚度时——即所谓的“纳米薄膜”——通常决定传导率的因素如掺杂物变得不再相关，相反，是表面的原子精确度决定了传导率。 事实上，研究团队发现，当原子级精确的硅纳米薄膜清除了氧化屋污物时，它们的传导性增大10倍多。当纳米薄膜厚度缩小到10纳米，仔细的表面处理将使传导性增大100万倍。 Evans表示：“这给我们的启示是，如果你构建纳米结构，结构表面异常重要。”