中国粉体网讯 韩国LED厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(Seoul Semiconductor)和LG Innotek积极研发”氮化镓”(gallium nitride、GaN)衬底，封测厂也有意用硅取代环氧树脂(Epoxy)，强化产品效能、延长使用寿命。 　　 　　韩媒17日报导，目前LED照明以蓝宝石(Sapphire)衬底和碳化硅(SiC)衬底为主，韩厂研究”氮化镓对氮化镓”基板(GaN-on-GaN)，称可以解决差排(dislocation)问题。首尔半导体10多年前投入研发，取得相关专利，先前推出过”nPola”产品，亮度比现行LED照明高出5-10倍，该公司宣称不久后将发表比nPola更先进的产品。 　　 　　LG Innotek也加入研发此一科技，但GaN要价高昂，该公司仍在调整产品推出时程。 　　 　　封测厂方面，韩厂开始用硅作为封装材料，取代环氧树脂。环氧树脂使用3千-6千小时后会出现色偏移现象，硅使用时间多了10倍，可用3万-5万小时。此外，厂商也在研发比硅更便宜的材质。 　　 　　业内人士表示，GaN和硅的效能都比现行材料好，缺点是价格昂贵，要增加市场竞争力，必须同时压低价格、提升表现。 　　 　　日本媒体7月11日报导，东芝(Toshiba)计划于今年内(2014年内)正式大规模量产白色LED产品，目标为将其月产能大幅扩增至现行的150倍。 　　 　　东芝所生产的白色LED采用该公司与美国白色LED大厂普瑞(Bridgelux；台积电(2330)转投资公司)共同研发的”GaN-on-Si”LED组件，和现行采用蓝宝石晶圆的LED组件相比更具有价格竞争力。东芝并于2013年4月收购了普瑞所拥有的GaN-on-Silicon技术等白色LED芯片相关资产。