中国粉体网讯  2021年2月2日，由中国粉体网旗下粉体公开课主办的“2021氮化铝陶瓷粉体及基板技术网络研讨会”成功举办！来自北京工业大学的王群教授、华中科技大学的陈明祥教授、浙江工业大学的乔梁副教授、上海东洋炭素有限公司的陈卫武博士给大家带来了精彩的报告。

本次研讨会是为企业管理人员、技术人员提供的一个深度交流、深入思考、磨炼内功、强化自身的平台。在本次研讨会上，观众积极参与，并与授课老师展开沟通交流，收到非常好的效果。

下面我们来回顾一下四位老师的精彩报告。

首先，来自北京工业大学的王群教授将给大家带来了题为《氮化铝粉体的原位合成方法》的报告。王群教授在授课中对目前几种氮化铝粉体合成方法做对比说明，最后从合成机理、制备过程及粉体特性等方面对氮化铝原位合成方法做了重点介绍。

关于氮化物，王群教授讲解了氮化铁电磁功能材料的发展史、应用领域、氮化钛陶瓷的特性及应用、并对氮化硅和氮化硼作了简要介绍。

然后王群教授从原位复合技术、合金选择、晶体生长机制、烧结助剂对原位合成法制备氮化铝做了详细的介绍。并通过与碳热还原法对比得出原位合成法具备一定优势的结论。

来自上海东洋炭素有限公司的陈卫武博士给大家带来了题为《燃烧合成工艺生产氮化铝粉体》的报告。在授课中，陈卫武博士详细介绍了该工艺的技术路线以及所涉及的粉体应用和市场开发。

首先，陈卫武博士详细介绍了氮化铝材料的基本性能以及氮化铝粉体的市场状况。

然后陈卫武博士分别介绍了碳热还原法、直接碳化法和燃烧合成法优点及缺点。并对燃烧合成法的原理、生产流程、粉体烧结性能以及市场定位做了详细阐述。

来自浙江工业大学的乔梁副教授给大家带来了题为《氮化铝陶瓷基板的烧结理论与实践》的报告。在授课中，乔梁副教授简要介绍了氮化铝陶瓷基板的制备工艺流程，然后从氮化铝陶瓷的导热机制、烧结机理与烧结实践等方面详细介绍高热导率氮化铝陶瓷基板烧结中的工艺控制原理。

乔老师在报告中指出，要想获得致密的氮化铝陶瓷基板，要从以下几个方面入手：

（1）采用无压液相烧结，并尽可能的减少气孔；

（2）纯化晶格；

（3）减少晶界相。

在报告最后，乔老师还指出了一个不得不重视的现象，那就是在我国氮化铝陶瓷基板领域尚未形成规模，却已经出现了同质化竞争的现象。

来自华中科技大学的陈明祥教授给大家带来了题为《氮化铝陶瓷电路板技术研发与产业化》的报告。在授课中，陈明祥教授重点介绍了氮化铝陶瓷电路板（AlN-DPC）技术研发、产业化及其在第三代半导体、高温电子器件、高频晶振、小型热电制冷器等领域的应用，并对相关技术发展进行展望。

首先，陈明祥教授从封装材料、封装工艺、陶瓷基板的不足等方面介绍了电子封装技术。

然后，陈明祥教授对DPC陶瓷电路板技术以及应用做了详细的阐述。

陈明祥教授在对陶瓷电路板的发展趋势的阐述中指出，功率半导体封装，必须采用陶瓷电路板。而且随着第三代半导体、5G等技术的发展，对陶瓷电路板的性能要求也会提高。

（中国粉体网编辑整理/山川）

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