中国粉体网讯  近日，武汉理工大学材料科学与工程国际化示范学院/材料复合新技术国家重点实验室麦立强教授团队利用微纳器件研究了P掺杂氧化物在电化学活化过程中电导的连续演化，研究并证实了新形成的氧化物与P-O基团之间的诱导电子耦合。

该团队认为这种独特的片上电化学微器件平台也可以应用于其他相关领域，以了解纳米尺度下能量材料的动态行为。相关成果发表在《Nano Energy》上。

该研究通过设计一种基于单个P1-Co₃O₄薄膜的平面电化学微器件，首次测量了重构晶格磷掺杂Co₃O₄的电导，建立了重构过程中掺磷Co₃O₄的本征电导与电化学活性之间的关系，明确了本征电导对P掺杂Co₃O₄催化活性的影响。

该研究还基于这种独特的微器件平台，通过原位I-V测量，实时监测了重构晶格磷掺杂Co₃O₄在OER过程中的电阻，并发现在高电位下，重构的晶格磷掺杂Co₃O₄比原始合成的Co₃O₄具有更快的电荷转移动力学。

此外，该研究认为这种独特的片上电化学微器件平台也可以应用于其它相关领域，以了解纳米尺度下能量材料的动态行为。

值得一提的是，原位芯片为此次Co₃O₄和P1-Co₃O₄的晶体结构的表征提供了氮化硅支撑膜。

据介绍，原位芯片的氮化硅膜最薄可至10nm，在保证超平整、超洁净的质量要求前提下，同时具有良好的机械强度，耐高温特性以及表面导热性。该研究正是利用了氮化硅膜的这些优良特性，利用TEM透射电镜对Co₃O₄和P1-Co₃O₄的晶体结构进行了表征。

据原位芯片官方消息，其自主研发的优质氮化硅薄膜窗口，为每一次实验提供高效的观测体验。产品主要应用于：SEM、TEM、X-Ray 显微镜观测实验。同时，原位芯片可用于观测液体环境的氮化硅薄膜观测窗口，更是打破国际垄断，成为少数拥有生产液体芯片的公司之一。原位芯片在提供标准品的同时，也提供氮化硅薄膜窗口的定制服务，助力实现更多科研可能。

（中国粉体网编辑整理/山川）

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