中国粉体网  12月11日，西咸新区泾河新城官微发布消息称，他们已经与江西誉鸿锦材料科技有限公司签订了战略合作框架协议。此次签约意味着总投资116亿元的西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目正式落户泾河新城。

报道称，该项目将建立第三代化合物半导体研发中心，开展氮化镓基半导体核心技术攻关、新品研发等工作。项目达产后，可实现年产值500亿元，实现年上缴税收约25亿元。

据了解，该项目建设单位是江西誉鸿锦材料科技有限公司，成立于2021年1月，专注于GaN电子器件研发，并掌握了氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术。

值得注意的是，誉鸿锦材料的子公司江西誉鸿锦芯片主要从事高品质GaN电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件、模组的研发和生产制造。

此前，他们设计紫外LED和GaN蓝绿激光器的研发和生产。同时，他们还具备功率器件的生产能力，拥有4/6/8寸氮化镓外延生产线和一条SBD/HEMT芯片中试生产线，一条封装测试线，具备每月产能5万片，对应约1.5亿颗芯片。

根据江西誉鸿锦芯片的公开资料，他们未来五年将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件等领域的"中国智造"，并规划总投资约50亿元建设氮化镓项目：

一期：投资约3亿元 ，其中生产设备投资2.7亿元 ，建设包含6台MOCVD的氮化镓外延生产线（投资约1亿元 ），一条芯片中试生产线（投资约1.3亿元 ）以及一条封装测试线（投资约7000万元 ），一期将可形成月产能1500片，对应约1500万颗芯片。

二期：投资金额约9亿元 ，投资新增10台MOCVD的氮化镓外延片生产线，建一条芯片量产线和再增加10台MOCVD的氮化镓外延片生产线，可形成月产能6000片，对应约6000万颗芯片。

三期：投资金额约38亿元 ，其中增加两条氮化镓芯片生产线，月产能20000片，对应约2亿颗芯片，项目完成后将可实现年主营业务收入达100亿左右。

（中国粉体网编辑整理/空青）

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