中国粉体网讯

京瓷

（1）4月5日，日本京瓷发布消息称，截至2028年，公司将投资620亿元在长崎县谏早市建厂（京瓷株式会社长崎谏早工厂），将生产广泛用于半导体制造相关的精密陶瓷零件和半导体封装产品。

（2）5月16日，京瓷在中期营运计划说明会上宣布，今后3年间（2023年-2025年）的设备投资总额最高将达8500亿日元（约合人民币435亿元），其中的4000亿日元（约合人民币205亿元）将用于发展半导体业务，对半导体的投资规模将达此前3年间（2020年-2022年）的2.3倍水平。此次对于其重金投入的半导体业务，京瓷明确将发展两条主线产品：扩增IC基板和半导体制造设备用陶瓷零部件的产能、提高先进封装能力。

（3）京瓷精细陶瓷欧洲有限公司宣布将在2023/24财年对位于德国曼海姆和塞尔布的两个工厂投资约3400万欧元进行扩建并致力于实现绿色转型，使其产能扩大一倍。

（4）京瓷株式会社成功研发用于FTIR※的氮化硅(Silicon Nitride，以下简称SN)高性能光源。京瓷将在汽车零部件领域所积累的高可靠性技术应用到FTIR光源的研发，成功开发出具有优异性能、红外辐射强度高的SN光源，以实现更精确的物质识别。此外，京瓷的SN材料拥有优异的耐用可靠性，可以降低设备故障率，减少维护时间。

村田

（1）村田制作所宣布开发出超小（0.5mm×1.0mm）且超薄的LW逆转低ESL片状多层陶瓷电容器，主要面向汽车ECU（电子控制单元）中使用的处理器，进一步扩大了其在汽车应用多层陶瓷电容器制造领域的领先地位，并于9月开始量产。村田利用特有的、通过陶瓷及电极材料的微粒化、均质化实现的薄层成型技术和高精度层压技术，在0.5mm x 1.0mm尺寸的LW逆转低ESL片状多层陶瓷电容器中率先实现了超薄的0.18mm(最大值)和1.0uF的容量。它比现有产品更薄，因此可以直接安装在处理器封装的背面和主电路板上更狭窄的空间中，有助于处理器封装的进一步小型化。

（2）9月1日，村田制作所、石原产业株式会社和富士钛工业株式会社3家公司共同设立的合资公司MF材料株式会社举行成立仪式。该公司按照计划将在宫崎县延冈市开设新工厂，2026年秋季竣工，2027年投产，以提高钛酸钡的产能。

（3）村田制作所在泰国的新工厂竣工，从11月开始生产。据悉，村田预计将在泰国北部南奔府的工厂投入数十亿日元（10亿日元约合6740万美元），以在2028年达到全面生产。

NGK

2023年欧洲碳捕集技术博览会上，NGK展示了有助于CCUS的产品，例如直接从大气中捕获CO2的DAC系统的陶瓷产品和能够在分子水平上进行气体分离和脱水的“亚纳米陶瓷膜”。

赛琅泰克

用于关节置换的陶瓷组件需求不断增长，CeramTec集团作为先进陶瓷专家认识到这一点，决定扩大其在Marktredwitz的生产能力。未来几年，CeramTec集团将在德国现有生产设施的基础上再增加一个医疗技术生产厂房。CeramTec集团是全球HPC行业的领先供应商，拥有100 多年开发生产经验。在Marktredwitz生产基地，CeramTec集团主要运营一个卓越生产中心，用于生产髋关节置换用陶瓷部件。

东芝材料

7月25日，东芝材料宣布，将投资70亿日元新设另一处氮化硅球生产基地（大分市），并于2026年1月开始生产，届时产能规模将比2022年度扩大2.5倍。

宇部

7月13日，日本UBE株式会社决定扩建宇部化工厂的氮化硅生产设备，以应对以电动汽车（xEV）轴承和基板为主的需求快速增长。计划2025年度下半年投产，产能约为目前水平的1.5倍。

东丽

4月12日，东丽工业公司宣布已经开发出世界上第一个无稀土氧化锆球的大规模生产技术。这种高度耐用的球可用于高性能多层陶瓷电容器(MLCC)和锂离子电池的电极材料的研磨。东丽计划在2024年3月启动样品工作和量产计划。

第一稀元素化学工业株式会社

第一稀元素化学工业株式会社公布了一种新开发的氧化锆粉体，用于制备的氧化锆陶瓷与以往相比，同等的强度外，拥有约3倍的高韧性，以及在热水环境下也不会劣化的“水热劣化”抗性。

日立金属

日本Proterial公司（原名日立金属）计划扩大其位于日本鸟取市的子公司Proterial Ferrite Electronics电动汽车用氮化硅基板的量产体制，总投资10亿日元，计划于2023年下半年开始运营。

资料来源：各公司官网、中国粉体网。

（中国粉体网编辑整理/平安）

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