中国粉体网讯

产业政策

河北省科技厅：将碳化硅衬底等列入重点研发项目！

2023年，10月，河北省科学科技厅对2023年新一代电子信息和新能源领域拟立项重点研发计划项目予以公示。其中“低缺陷密度8英寸碳化硅单晶衬底制备技术及应用示范”和“碳化硅功率器件用高导热陶瓷封装技术研发”两个项目在列。

苏州新政：碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业重点发展

苏州市人民政府印发《关于加快培育未来产业的工作意见》，开展碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等单晶衬底及外延材料制备，推动宽禁带半导体电力电子器件、射频器件等关键部件研发及产业化。

经国务院批准，决定对镓、锗相关物项实施出口管制

2023年7月3日晚间，商务部、海关总署联合发布公告，对镓和锗两种金属相关物项实施出口管制。其中，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等；锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。该公告自2023年8月1日起正式实施。

2023湖南省重点建设项目公布，三安半导体碳化硅项目在列

2023年4月，湖南省发改委发布2023年省重点建设项目名单，湖南三安半导体产业基地项目总投160亿元，主要建设碳化硅等化合物第三代半导体等的研发及产业化项目，项目垂直整合了自衬底材料-外延生长-晶圆制造-到封装测试等环节。

3项碳化硅晶片相关团体标准开始征求意见

T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基准标记及尺寸》等3项系列标准已完成征求意见稿的编制，并于2023年3月22日起开始征求意见，截止日期为2023年4月21日。

科技前沿

微电子所在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展

中国科学院微电子研究所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项研究成果入选第14届氮化物半导体国际会议。

新成果！浙大科创中心8英寸碳化硅衬底研制成功

浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-杭州乾晶半导体联合实验室经过系列技术攻关，在大尺寸碳化硅（SiC）单晶生长及其衬底制备方面取得突破，成功生长出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底片，成功跻身8英寸碳化硅俱乐部。

电科材料6英寸碳化硅外延片产业化取得重大进展

电科材料6英寸碳化硅外延片产业化工作取得重大进展，6英寸中高压碳化硅外延片月产能力实现大幅提升。电科材料持续布局第三代半导体外延材料研发生产，实现一系列技术突破，在碳化硅外延领域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研发。

厦门大学成功突破8英寸碳化硅外延技术

2023年3月，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。厦门大学科研团队负责人表示，其克服了8英寸衬底应力更大、更易开裂、外延层厚度均匀性更难控制等问题，成功实现了基于国产衬底的碳化硅同质外延生长。

日本大阪公立大学等首次证实半导体材料3C-SiC具有高热传导率

由日本大阪公立大学与东北大学、AIR Water及美国伊利诺大学组成的研究团队证实确认AIR Water开发的半导体材料3C-SiC具有高传导率，由于其成本相对较低，可制成大直径晶圆，将可望有助于实现高散热性器件。

行业动态

《中国碳化硅衬底产业发展研究报告（2023～2026）》重磅推出！

为帮助企业全面系统了解碳化硅衬底产业发展现状，发现市场机会，把握产业趋势，中国粉体网粉体大数据研究通过对国内外主要碳化硅衬底企业进行调研，收集大量的产业数据、权威报道和技术文献资料等，推出《中国碳化硅衬底产业发展研究报告（2023～2026）》。

粉体大数据研究|《中国碳化硅功率器件市场行情动态及发展趋势报告》正式推出！

为帮助企业全面系统了解国内外碳化硅功率器件产业发展现状及趋势，发现市场投资机会，把握产业未来发展趋势，中国粉体网粉体大数据研究推出《中国碳化硅功率器件市场行情动态及发展趋势报告》。

SiC衬底企业同光股份完成F轮融资

河北同光半导体股份有限公司宣布完成F轮融资。同光股份表示，所融资金将用于进一步加速重点项目布局，加筑技术壁垒，构建企业级生态体系，培养第三代半导体行业人才。

山东粤海金半导体科技有限公司研制出8英寸碳化硅晶体

2023年11月21日，山东粤海金半导体科技有限公司宣布自主研制的SiC单晶生长炉上成功制备出直径超过205毫米的8英寸导电型SiC晶体，晶体表面光滑无缺陷，厚度超过20毫米，同时已经顺利加工出8英寸SiC衬底片。

中电化合物首批次8英寸SiC外延片交付

中电化合物首批次8英寸SiC外延片交付！自2019年11月1日公司成立，中电化合物历时四年，不断实现从0到1的突破，自主研发、生产的6英寸碳化硅晶锭、衬底片和外延片早已实现稳定量产。2023年在8英寸碳化硅产品的研发和生产上也获得了重大进展。

三星切入碳化硅功率半导体业务

三星电子内部组建了新的碳化硅（SiC）功率半导体团队，已经任命安森美半导体前董事洪锡俊（Stephen Hong）担任副总裁，负责监管相关业务。

64.5亿！中国香港将建首个8英寸碳化硅晶圆厂

中国香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设中国香港首间碳化硅8英寸先进垂直整合晶圆厂。据科技园公司介绍，该项目的总投资额预约港币69亿元，按规划通线、扩产，于2028年达到年产量24万片碳化硅晶圆，带动年产值超过港币110亿元。

科友半导体自产首批8英寸碳化硅衬底下线

2023年9月，科友首批自产8英寸SiC衬底于科友产学研聚集区衬底加工车间成功下线，这标志着科友在8英寸SiC衬底加工，以及大尺寸衬底产业化方面迈出了坚实一步。

天岳先进新签8.05亿元碳化硅衬底大单

2023年8月，天岳先进发布公告，公司与客户F签订了一份框架采购协议，约定2024年至2026年公司向合同对方销售碳化硅产品，按照合同《产品供货清单》，预计含税销售三年合计金额为人民币80,480.00 万元（最终以实际数量结算金额为准）。

住友电工将生产碳化硅晶圆，将使电动汽车行驶里程延长10%

据日经亚洲报道，日本汽车供应商住友电气工业株式会社将开始生产用于下一代半导体的节能碳化硅晶圆，预计将使电动汽车的行驶里程延长10%。住友电工计划投资约300亿日元（约合2.14亿美元），用于支付在富山县建设新工厂的费用，该工厂将在2027年开始大规模生产碳化硅晶圆。该投资额还将用于扩建兵库县现有工厂的生产能力。

安森美宣布与博格华纳扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作

2023年7月19日，安森美宣布与博格华纳扩大碳化硅方面的战略合作，协议总价值超10亿美元（约合人民币72.2亿元）。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。

志橙半导体创业板IPO获受理，拟募资8亿元用于SiC材料项目

2023年6月27日，深圳市志橙半导体材料股份有限公司在深市创业板提交招股书申报稿。志橙半导体本次拟募资8亿元，用于SiC材料研发制造总部项目、SiC材料研发项目、发展和科技储备资金。

欣锐科技与安森美半导体共同打造的联合实验室已正式投入使用

2023年6月，欣锐科技与安森美半导体共同打造的联合实验室已正式投入使用。欣锐科技提到，与安森美成立联合实验室的目的是通过对核心功率器件，特别是SiC的应用技术进行先期研究，为新能源汽车车载电源提供支持与保障。

合盛硅业布局碳化硅！

合盛硅业发布公告，公司控股子公司宁波合盛新材成功研发碳化硅半导体材料并具备量产能力。

新能源汽车市场需求火热，巨头扎堆GaN

2023年5月，欧洲确立了一项高达6000万欧元（约合人民币4.55亿元）的氮化镓（GaN）科研项目，旨在建立从功率芯片到模块的完整供应能力。除了牵头人英飞凌，另有其45家合作伙伴参与其中。

SK集团釜山新厂将量产碳化硅，产能扩大近3倍

据韩国媒体The Elec报道，SK集团于2023年5月16日宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式投入批量生产，这意味着SK集团的SiC（碳化硅）半导体产能将扩大近3倍，预计2026年SK powertech销售额增长将超过5000亿韩元（约合3.74亿美元）。

国产SiC打进国际供应链体系

2023年4月27日，天岳先进在2022年年报中披露，2022年其与博世集团签署长期协议，加入博世集团的碳化硅衬底片供应商行列，以支持下游车企对高功率设备不断增长的需求。5月4日，英飞凌宣布，他们与天科合达和天岳先进两家碳化硅衬底厂商签订SiC衬底和晶锭的多年合作协议。

深圳基本半导体车规级碳化硅芯片产线正式通线  

2023年4月24日，深圳基本半导体有限公司车规级碳化硅芯片产线通线仪式在深圳市光明区举行。该产线的顺利通线，将全面提升粤港澳大湾区第三代半导体制造实力和核心竞争力，助力国内车规级碳化硅芯片供应链实现自主可控。

扬杰科技：投资10亿元拟建6英寸碳化硅晶圆项目

2023年4月20日，扬州扬杰电子科技股份有限公司发布公告称，公司已于4月18日与扬州市邗江区政府签署《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，拟在当地投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目，总投资约10亿元。

碳化硅芯片设计公司与清华大学汽研院联合，建立“碳化硅联合研发中心” 

2023年3月24日，清华大学苏州汽车研究院和深圳市至信微电子在苏州吴江区正式签约共建“碳化硅联合研发中心”，旨在推动碳化硅技术在汽车电子领域的研究和运用，加速第三代半导体碳化硅在新能源车产线前端应用的落地与定制开发。

特斯拉将减少75%的碳化硅的使用

特斯拉在投资者活动日上表示，“我们下一代平台将减少75%的碳化硅。”该言论曾引起了各界对碳化硅半导体发展的担忧。

2023年SiC功率元件市场产值估将突破22亿美元

据 TrendForce集邦咨询 研究统计，随着安森美、英飞凌等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。

晶盛机电成功推出6英寸双片式碳化硅外延设备

2023年2月4日，晶盛机电举行6英寸双片式碳化硅外延设备新品发布会。据介绍，该产品历时两年的研发、测试与验证，在外延产能、运营成本等方面已取得国际领先优势，与单片设备相比，新设备单台产能增加70%，单片运营成本降幅可达30%以上。

总投资或达30亿美元，Wolfspeed与采埃孚拟在德国建设碳化硅半导体工厂 

2023年1月，半导体厂商Wolfspeed计划与汽车零部件供应商采埃孚合作，在德国萨尔州建设半导体厂。该厂总投资额或达30亿美元，计划在2027年投产、2030年满产，并有望一跃成为全球最大的碳化硅半导体工厂，产品将主要供应电动汽车、光伏等应用领域。

产业进展

总投资21.2亿元！晶盛机电碳化硅衬底片项目签约

2023年11月4日，晶盛机电举行“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式，旨在加快半导体材料端的关键核心技术攻关，实现国产化替代，这一举措标志着晶盛机电在半导体材料领域的技术实力和市场竞争力将进一步提升。

投资近35亿元！年产70万片的SiC衬底项目签约包头

2023年10月10日，包头市人民政府与北京世纪金光半导体有限公司在包头市正式签署“年产70万片6-8 英寸碳化硅单晶衬底项目”战略合作协议。该项目由包头·北京科创基地协助导入，计划落地包头市青山区装备制造产业园区，总投资34.57亿元，项目总建设周期为3年，正式投产时将建成年产70万片6-8寸单晶衬底生产线，同时包含碳化硅单晶长晶和切磨抛加工与检测等。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产 

2023年9月6日，由南京市人民政府、中国电子科技集团有限公司指导、国家第三代半导体技术创新中心主办的第三代半导体产业创新发展大会在江宁开发区举行。10个总投资额超百亿元产业项目在大会上签约，国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产。

天科合达SiC项目开工

2023年8月8日上午，江苏天科合达碳化硅衬底二期扩产项目开工活动在徐州经开区举行，新增16万片产能，预计2024年8月投产，届时江苏基地的总产能将达到23万片。

平煤神马1000吨碳化硅半导体材料项目开工

2023年5月24日，八矿新能源绿色矿山综合利用项目在八矿开工。同时，1000吨碳化硅半导体材料项目在平顶山电子半导体产业园开工。项目建成后，预计产能位居全国前列，产品在国内市场占有率在30%以上，全球市场占有率在10%以上。

泰科天润北京SiC总部项目开工建设 

2023年3月27日，北京市重点工程泰科天润总部项目举行开工奠基仪式。泰科天润总部项目位于中关村顺义园第三代半导体产业基地，规划建筑面积4.6万平米，主要用于总部基地建设。

国内首条GaN半导体激光器芯片量产线投产

2023年3月22日，国内首条GaN半导体激光器芯片量产线投产发布会在广西柳州举行。飓芯科技建成的国内首条GaN半导体激光器芯片量产线包含8大工艺站点，拥有全球领先的半导体量产设备100余台，涵盖衬底、外延，工艺与封测等各生产环节，标志着GaN半导体激光器芯片实现了进口替代和自主可控。

（中国粉体网编辑整理/山川）

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