中国粉体网讯  2023年是第三代半导体大放异彩的一年，市场见证一个“技术快速进步、产业快速增长、格局大洗牌”的“战国时代”，也是我国实现“换道超车”的一次重要机会。本文顺理了10个关键词供大家回顾2023年第三代半导体行业的发展过程。

上车加速

在全球经济衰退及半导体下行周期的大背景下，新能源汽车产业似乎成为唯一的一个逆势窗口。随着800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等细分市场的快速发展，以碳化硅为代表的第三代半导体“上车速度”极快，2023年以来已有小鹏G6、极氪X、智己LS6、蔚来EC7、智界S7、极氪007、理想MEGA、后续还有小米、问界M9等高压碳化硅车型上市，新能源汽车已强势拉动碳化硅渗透。

扩产浪潮

2023年，SiC赛道扩产热度依旧居高不下，甚至有愈演愈烈的迹象，不仅有更多厂商加入SiC扩产行列，更有巨头多次出手，产能建设已成为企业及行业关注的焦点。

2023年国内近40项SiC相关扩产项目启动，这些项目中，不乏天科合达、晶盛机电、同光股份、科友半导体、南砂晶圆、泰科天润、天域半导体、中车时代半导体、比亚迪半导体等国内头部厂商的身影。从扩产内容来看，2023年度SiC扩产主要围绕原材料、衬底、外延、器件、设备等全产业链进行；从投资额来看，2023年度国内SiC相关扩产项目累计将投入近900亿元。值得注意的是，2023年部分国内SiC扩产动作是在已建成项目基础上加码而来，显示了相关厂商对SiC产业发展前景充满信心。

走出国门

随着光伏、新能源汽车的发展，中国在整个新能源产业中占据着举足轻重的地位，而国产碳化硅也逐渐走进国际客户的视野。2023年国内中电化合物、三安光电、天科合达、天岳先进均与国外大厂达成碳化硅供应协议，这是国产碳化硅加速融入国际供应链体系的一个重要标志。

进击8英寸

8英寸的晶圆尺寸扩展是进一步降低碳化硅器件成本的关键。业内人士将2023年称为“8英寸SiC元年”。这一年，国际功率半导体巨头纷纷加快对8英寸碳化硅的研发应用步伐，如Wolfspeed疯狂投资扩建8英寸SiC衬底工厂；美国芯片法案扩产的重要部分就是建设8英寸SiC衬底工厂。国内8英寸碳化硅也取得了突破性的进展，如天岳先进、天科合达、晶盛机电等均有量产8英寸SiC衬底的能力。

融资

尽管今年半导体经济不景气，而在机构投资整体更理性下，第三代半导体企业的融资仍加速狂飙。据不完全统计，2023年第三代半导体行业融资超62起，其中拿到融资的企业超7成是做碳化硅相关业务的，涉及外延片、晶体、衬底、器件、封测、模块、驱动系统、设备等领域。其中碳化硅器件的企业完成的融资数量最多，占总融资数量的44%，已成为车企布局的焦点。在超过10亿元的大额融资方面，第三代半导体的融资数量甚至超过同样火爆的AI芯片行业。

氮化镓融资方面，今年融资数量最多的反倒是材料细分领域，相关材料企业有晶湛半导体、进化半导体、镓仁半导体。其中士兰明镓融资规模最大，达12亿人民币。

出口管制

2023年7月3日，我国商务部、海关总署发布《关于对镓、锗相关物项实施出口管制的公告》，自8月1日起，金属镓（单质）、氧化镓、氮化镓等镓相关物项，以及金属锗、磷锗锌、二氧化锗等锗相关物项，未经许可，不得出口。在此之前，荷兰、美国、日本在半导体领域动作不断，在半导体设备和材料方面都做出管制动作。这两部门公告对两种金属相关物项实施出口管制，或是一种对等反制，也是维护国家安全和利益的一种做法。

政策支持

2023年，国家在三代半领域事业正如火如荼地推进着。河北省、苏州市、湖南省、山东省等地都将第三代半导体作为重点产业发展。同时相关行业标准也相继发布，国际半导体产业协会（SEMI）正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准——《4H-SiC同质外延片标准》、T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基准标记及尺寸》等3项系列标准已完成征求意见稿的编制。

巨头扎推GaN

2023年GaN发展虽不似碳化硅火热，但随着新能源汽车市场的火爆，移动充电、电动汽车车载充电器等应用领域受到大众的关注，这导致GaN市场的动态增长。欧洲确立了一项高达6000万欧元（约合人民币4.55亿元）的氮化镓（GaN）科研项目，旨在建立从功率芯片到模块的完整供应能力。除了牵头人英飞凌，另有其45家合作伙伴参与其中；3月英飞凌宣布收购GaN功率半导体厂商GaN Systems，火力开始分向氮化镓；瑞典公司SweGaN也在布局氮化镓产能。同时，国内赛微电子、英诺赛科、三安光电等国内企业正马不停蹄地加速布局氮化镓和推进产品落地和商用。

技术进步

碳化硅衬底作为成本最高、技术壁垒最高的环节，其产能却远不足以匹配市场需求，碳化硅衬底的革新迫在眉睫。不少企业在布局市场的同时，也在不断的增强技术创新。天岳先进采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创；科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术，8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上。

机遇

2023年在新能源汽车、光伏、储能、AI等需求带动下，第三代半导体产业保持高速发展。据TrendForce集邦咨询研究统计，第三代半导体包括SiC与GaN，整体产值又以SiC占80%为重。SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。

（中国粉体网编辑整理/空青）

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