硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。针对这一关键科学技术问题，中科院苏州纳米所采用AlN/AlGaN缓冲层结构，在硅衬底上成功生长了厚度达到6 μm左右的InGaN基激光器结构，实现了世界上首个室温连续电注入条件下激射的硅衬底InGaN基激光器。

近期，在现货供应偏紧的刺激下，硅铁期货出现升水机会，锰硅期货则由于现货大幅拉涨仍处于贴水状态。究竟是什么原因引发了近期铁合金价格的走强呢？

中科大郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室任希锋研究组与浙江大学戴道锌教授合作，首次研制成功硅基导膜量子集成芯片，实现了单光子态和量子纠缠态在偏振、路径、波导模式等不同自由度之间的相干转换，为实现集成量子光学芯片中高维量子信息过程奠定了重要基础。

中科院固体所物质计算科学研究室邹良剑研究员与中国科技大学陈仙辉教授研究团队以及香港大学沈顺清教授合作，在静水压调控块体黑磷的电子结构研究方面取得重要进展，证明压力下黑磷可以从半导体转变成狄拉克半金属，黑磷有望借此技术向半导体材料迈出重要一步，取代石墨烯也并非没有可能。

“控制总量优化布局、加强创新提高产品精细化率、培育发展企业知名品牌以及构筑循环经济推进责任关怀，是“十三五”期间行业要完成的四大任务。未来5年我们行业的发展目标是硅酸钠产量400万吨、白炭黑产量180万吨、分子筛140万吨、硅胶40万吨、硅溶胶60万吨、偏硅酸钠50万吨。

安普瑞斯(Amprius)公司完成了硅纳米线负极生产线的制备并投入中试生产。这是世界上第一条，也是唯一的一条双面连贯印刷式，高精度，3维纳米线生产线。这条生产线的建成初步实现了高容量硅纳米线负极的规模生产。

韩国材料研究所韩承殿（音译）博士团队，江原大学的林成焕（音译）教授，延世大学的韩炳灿（音译）教授团队开发了一项新技术。利用金属间化合物的高耐腐蚀性，将金属基体用酸溶解，通过这种方法可以成功生产单晶镍硅化物。

商南硅科技产业园2014年9月被省政府确定为“全省重点建设县域工业集中区”。项目总投资50.8亿元，占地面积1620亩，目前正在加紧建设。项目全部建成后，预计生产装置总投资50.8亿元，实现年均销售收入超百亿元，企业年均上交利税近25亿元，可新增就业岗位3000多个。

中国科学技术大学钱逸泰课题组发展了一种在200℃熔盐体系中，采用金属Al或Mg还原二氧化硅或硅酸盐制备纳米硅材料的方法。将该材料应用于锂离子电池负极材料，展示出优异的电化学性能。

多年以前，滑铁卢大学的研究人员开始利用硅作为电池负极时，同其他研究组一样，遇到了全球性技术难题，即，硅材料在电池充放电过程中，由于相变所造成的体积收缩膨胀率高达300%，这一变化使得电极活性层形成众多断裂缝隙，电池性能迅速衰退，以致最终使电池失效。