要使氮化铝陶瓷作为电子器件来使用，往往需要跟其他材料（金属、合金等）进行有效连接，为了方便连接，很多情况下需要先将其金属化处理。

近日，台基股份在投资者互动平台表示，公司根据研发项目计划安排和实际需求进行投入，公司跟踪和研发以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术，尚未形成产品。

氮化铝（AlN）是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性，以及高导热、抗辐射等优异性能。是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料，也是高功率、高频电子器件理想衬底材料。

2022年4月28日，中国粉体网将在山东济南举办第一届半导体行业用陶瓷材料技术研讨会。

1月22日，旭光电子发布公告拟募资5.5亿元用于氮化铝、氮化硅陶瓷基板、高温共烧多层基板等建设。

第四代混合集成技术主要特征表现为功率陶瓷一体化封装、3D打印及IPD、倒装焊及TSV芯片、多维度组装、微纳级组装、激光加工技术、KGD技术与密封前老炼、数字化工厂、全寿命周期管理等特征。

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相对于氮化硅而言，氮化硅铁价格更低廉，也便于进行工业化推广和生产，因此已被用为耐火材料的原料、高温结合相和高温结构材料，现已广泛应用于高炉铁沟浇注料和炮泥中。

氮化硅陶瓷具有很高的理论热导率，而影响陶瓷导热性能的关键是第二相含量和晶格缺陷，尤其是晶格内氧缺陷对氮化硅陶瓷导热性能影响很大。

本文重点介绍粉体网微信公众号最受关注的10种材料。