三菱电机计划2025财年开始在12英寸硅晶圆新产线上量产，稳定供应功率半导体器件，同时布局第四代宽禁带半导体材料氧化镓，接下来将继续研究氧化镓功率芯片和功率器件。

以氧化镓材料制作的功率器件，相较于碳化硅和氮化镓所制成的产品，更加耐热且高效、成本更低、应用范围更广。

相比碳化硅、氮化镓，氧化镓的优势在哪？

同济大学第四代半导体氧化镓材料项目落地。

碳化硅，不香了吗？

近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。

氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一，在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。

Ga2O3有望替代SiC和GaN成为新一代半导体材料的代表，目前，各国的半导体企业都争先恐后布局。

8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）在联邦公报上发布一项临时最终规定，对4项“新兴和基础技术”实施最新出口管制。其中两项便是氧化镓、金刚石这两类超宽禁带半导体材料，且该两项出口管制于8月15日已生效。

近日，浙江大学杭州国际科创中心成功获得首批氧化镓单晶衬底。