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35亿!年产6万片,山东菏泽新增GaN生产线
3378 2024-02-29

中国粉体网讯  近日,菏泽市牡丹区吴店镇消息显示,2月26日,吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。



据悉,菏泽市牡丹区砷化镓半导体项目,是由山东水发联合台湾半导体龙头企业共同投资建设,项目总投资35亿元,计划分两期实施。


一期工程:计划投资15亿元,建设4/6英寸砷化镓生产线,主要生产砷化镓半导体面射型镭射VCSEL产品,年产芯片6万片。建设期1.5年,预计2025年7月试生产。


二期工程:计划投资20亿元,建设4/6英寸第三代化合物半导体氮化镓GaN碳化硅SiC生产线,主要生产功率半导体器件及耐高压新能源汽车逆变器,以满足多元化市场需求。二期工程计划2026年下半年开工建设,预计2028年上半年投产。


(中国粉体网编辑整理/空青)

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