如果将GaN中的一部分Ga替换为较轻的Al并制成AlGaN(氮化铝镓),则将获得具有优异的介电击穿电阻的晶体,具有更高介电击穿电阻的AlGaN作为下一代功率电子材料被寄予厚望。
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2022年08月01日 更新