近日，中国科学院微电子研究所高频高压中心研究员刘新宇团队等在GaN界面态研究领域取得进展，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离。

随着电子技术的迅猛发展，集成电路的散热性问题逐渐得到重视。高纯AlN单晶的热导率最高可达到319W/(m·K)。其具有高热导率、高温绝缘性和优良介电性能、良好耐腐蚀性、与半导体Si相匹配的膨胀性能等优点。因此成为优良的电子封装散热材料，能高效地散除大型集成电路的热量，是组装大型集成电路所必需的高性能陶瓷基片材料。

为促进氮化铝陶瓷基板产业技术的发展，中国粉体网旗下粉体公开课平台将于2021年2月2日举办首届“2021氮化铝陶瓷粉体及基板技术网络研讨会”。为企业管理、技术人员提供一个深度交流、深入思考、磨炼内功、强化自身的平台。

氮化铝陶瓷的成型技术

氮化铝(AlN)具有高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、热膨胀系数与硅匹配好等特性，不但用作结构陶瓷的烧结助剂或增强相，尤其是在近年来大火的陶瓷电子基板和封装材料领域，其性能远超氧化铝。

随着半导体行业的发展，AlN作为半导体材料中的主要代表，其所展现出的优异的性能使得其受到极大的重视。由于AlN在自然与科技方面有着许多潜在的优良性能，AlN薄膜也因此备受现代科研工作者的青睐。

全套国产芯片氮化镓快充问世，明年或掀普及热潮。

今年年初，小米公司推出的氮化镓(GaN)快速充电器引爆了第三代半导体概念。实际上，除了在消费电子领域备受期待的氮化镓之外，第三代半导体的另一个重要产品碳化硅(SiC)有着更为广阔的应用空间。受益于新能源汽车行业的快速发展，氮化镓产品应用即将迎来大爆发。

第三代半导体弯道超车，五年后碳化硅市场规模将超160亿。

硅基器件的性能已经接近极限，边际成本越来越高，而半导体器件产业仍对高功率、高频切换、高温操作、高功率密度等有着越来越多的需求，因此以SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)等第三代半导体材料为核心的宽禁带功率器件成为了研究热点与新发展方向，并逐步进入应用量产阶段。