中国工程院院士、中国建材总裁彭寿介绍了2019年公司三大板块经营发展情况。

由台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）与新竹交通大学合作组成的研究团队在台北宣布，在共同进行单原子层氮化硼的合成技术上取得重大突破，成功开发出大面积晶圆尺寸的单晶氮化硼成长技术。

特别是由于Si3N4粉体较大的表面能，极易发生团聚。如何提高Si3N4粉体分散性就成为制备Si3N4粉体之后必须要面对的问题。

该成果将于今年3月在国际知名学术期刊《自然》发表。

氮化镓(GaN)被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，具有带隙宽、原子键强、导热率高、化学性能稳定、抗辐照能力强、结构类似纤锌矿、硬度很高等特点，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用等方面有着广阔的应用前景。

据BusinessKorea报道，韩国科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一个团队成功开发出一种能够替代氮化镓生产蓝光LED的新型LED材料。据悉，这是韩国在努力减少在材料与零部件领域对日本的依赖之际实现的技术突破。

随着此类第三代半导体材料具有更高效节能、更高功率等优势，更适用在5G通讯、超高压产品如电动车领域，未来市场成长看好。

3月3日上午，南湖区举行一季度重大项目集中开竣工活动，参加本次集中开竣工活动的项目共54个，总投资达219.96亿元，开竣工项目数量、总投资以及项目平均投资额均创南湖区历史新高。

湖南顶立科技有限公司创办于2006年，是一家专业从事新材料及高端特种热工装备研发、生产的民营高科技军工企业。

横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体与专业半导体代工企业台积电携手合作，加快氮化镓（GaN）工艺技术的开发以及GaN分立和集成器件的供货。通过此次合作，意法半导体创新的战略性氮化镓产品将采用台积电领先业界的GaN制造工艺。