近日,笔者从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用氮化镓材料在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。
2019年02月26日 更新氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的关键原料,其性能是影响氮化硅坯体成型、烧结的关键因素,对最终氮化硅陶瓷产品的致密度、力学性能等都具有重要影响。
2019年01月11日 更新第一代半导体硅经过几十年的发展,产业发展和基础研究齐头并进,基础扎实。相比之下,日本人开始研究第三代半导体时,很多人认为氮化镓材料的缺陷太多,难以做成高效光电器件。没想到日本竟然把蓝光LED做出来了,紧跟着就是市场的快速爆发。“市场发展非常快,基础研究却跟不上了。”夏建白说,这是目前第三代半导体发展面临的困境。
2018年11月12日 更新以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。
2018年09月04日 更新