沈阳材料科学国家研究中心材料结构与缺陷研究部陈春林研究员、马秀良研究员、叶恒强院士与东京大学Yuichi Ikuhara教授、NIMS谷口尚教授等人合作，利用像差校正电子显微术在原子尺度上研究了纤锌矿型氮化硼中的缺陷结构及其对材料相变的影响，发现材料中的三维缺陷网络可显著提高该亚稳超硬材料的稳定性，突破了人们对材料缺陷与相变关系的传统认识。相关成果于5月17日在《美国国家科学院院刊》（PNAS）上在线发表。
2019年05月22日 更新
哈尔滨工业大学（深圳）宋清海团队充分利用甲基铵三卤化铅（MAPbX3）钙钛矿的优秀光电响应能力，将钙钛矿光电探测器与氮化硅波导相结合，利用新型卤化铅钙钛矿和氮化硅波导制备了一种集成光电探测器，并展示了它们在片上集成光学传感器中的潜力。
2019年05月08日 更新挪威科学技术大学的研究人员成功地在石墨烯表面制造了发光二极管(LED)。根据一份他们的研究简报解释，该团队能够创造出一种有可能成为商业产品的新电子元件。这种二极管是无毒的，可能比今天的荧光灯更便宜、更稳定、更耐用。
2019年05月06日 更新
利用微波能对被烧材料进行整体加热是其最大特点，由于是整体加热，材料受热均匀、温度梯度小，这样烧成的材料性质均匀，晶粒细小，致密性好。
2019年04月30日 更新气凝胶，被誉为改变世界的新材料，具有孔隙率高、比表面积大、密度低、绝热性能好等优异理化性质，在热/声/电绝缘、催化剂/药物载体、星际尘埃收集、环境修复、能源与传感等领域具有重要应用前景。
2019年04月08日 更新氮化镓，分子式为GaN，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
2019年04月03日 更新
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