中国粉体网讯  9月1日，南京江北新区举办以“投资江北共赢未来”为主题的金秋重点产业项目签约会。32个产业项目在会上集中签约，投资总额达455亿元，其中包括总投资65亿元的第三代半导体碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目，该项目主体为江苏超芯星半导体有限公司（以下简称“超芯星”）。

半导体行业普遍认为，最有希望弯道超车的领域就是技术差距较小的第三代半导体。碳化硅正是第三代半导体的核心材料，相比于传统的硅基材料，碳化硅更适应高温、高压、高频率和大功率。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下里程数显著提高。有行业调研机构预估，2025年碳化硅仅在电动车应用的市场规模即可达6.5亿美元，未来5年年增长率将达25％至30％。

碳化硅半导体产业链可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，长晶难度大，技术壁垒高。

资料显示，超芯星成立于2019年，由海归博士创立，是国内领先的第三代半导体企业，致力于6-8英寸碳化硅衬底的研发与产业化，拥有20多年碳化硅技术积累和产业化经验。公司通过引进技术人才和专家，融合美、欧、日等国家先进技术，不断迭代升级和自我超越，完成装备、长晶、加工、检测等多项核心领域整合，实现我国6英寸碳化硅衬底在国际上的新突破。今年7月26日，超芯星宣布其“6英寸碳化硅衬底进入美国一流器件厂商”，同时“计划将6-8英寸碳化硅衬底的年产量提升至150万片”。

信息来源：芯智讯、超芯星半导体官网、新华日报