近几年氮化铝陶瓷基板市场发展迅速，国内有哪些企业生产？

AlN陶瓷材料具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数、高电阻、低密度、热化学稳定性好、机械性能良好、成本低、无毒等优点，使其在航空航天、大规模集成电路等重要领域的应用有着巨大的优势，因此受到国内外科研工作者和生产厂家越来越广泛的重视。

为促进氮化铝陶瓷基板产业技术的发展，中国粉体网旗下粉体公开课平台将于2021年2月2日举办首届“2021氮化铝陶瓷粉体及基板技术网络研讨会”。

近年来，随着大规模集成电路及电子设备向高速化、多功能、小型化、低功耗方向发展，相关应用对高性能、高密度电路的需求日益增加。其中，芯片制造业对芯片的封装测试也提出了要求，需要寻找更优异的材料用于封装制备。

大阪大学、昆士兰大学和新加坡国立大学的一组科学家使用涂有放热聚合物的微小纳米金刚石来探测细胞的热特性。

随着电子技术的迅猛发展，集成电路的散热性问题逐渐得到重视。高纯AlN单晶的热导率最高可达到319W/(m·K)。其具有高热导率、高温绝缘性和优良介电性能、良好耐腐蚀性、与半导体Si相匹配的膨胀性能等优点。因此成为优良的电子封装散热材料，能高效地散除大型集成电路的热量，是组装大型集成电路所必需的高性能陶瓷基片材料。

为促进氮化铝陶瓷基板产业技术的发展，中国粉体网旗下粉体公开课平台将于2021年2月2日举办首届“2021氮化铝陶瓷粉体及基板技术网络研讨会”。为企业管理、技术人员提供一个深度交流、深入思考、磨炼内功、强化自身的平台。

氮化铝陶瓷的成型技术

氮化铝(AlN)具有高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、热膨胀系数与硅匹配好等特性，不但用作结构陶瓷的烧结助剂或增强相，尤其是在近年来大火的陶瓷电子基板和封装材料领域，其性能远超氧化铝。

1月1日，哈尔滨工业大学与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作，首次通过纳米力学方法，展示了微晶金刚石阵列均匀的深弹性应变。该研究突出了深弹性应变工程在光子学、电子学和量子信息技术中的巨大应用潜力。