中国粉体网讯  据报道，投资50亿元，建设用地约1000亩的中国电科（山西）电子信息科技创新产业园在山西转型综改示范区正式投产。

人民网报道称，该项目计划用5年时间，建成“一中心三基地”，即：中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科（山西）三代半导体技术创新中心、中国电科（山西）光伏新能源产业基地。项目达产后，预计形成产值100亿元。

山西台记者刘洋在报道中指出，这个碳化硅基地一期共有300台设备，单月产值就能突破一亿元。项目全部建成后，将成为国内最大的碳化硅材料供应基地，而这个1000亩的产业园将串联起山西转型综改示范区上下游十多个产业，带动山西半导体产业集群迅速发展，实现中国碳化硅的完全自主供应。

大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率，是第三代半导体碳化硅单晶材料最响亮的“名片”，不过，碳化硅单晶的制备一直是全球性难题，而高稳定性的长晶工艺技术是其核心。而在中国，碳化硅单晶衬底材料长期依赖进口，其高昂的售价和不稳定的供货情况大大限制了国内相关行业的发展。

山西烁科晶体有限公司总经理李斌称：碳化硅是一个非常关键的半导体的原材料，整个从山西来说，能带动一个50到100亿元的产业链，现在大家都在抢占这个时间点，我们现在就是要争分夺秒把这个时间节点抓住，一方面抓好疫情防控，一方面抓好复工复产，真正把这个产业链的制高点抓在我们自己手里，落地在山西。

据了解，自2007年，中国电科2所开始着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划，目前已经掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线，在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产。

（中国粉体网编辑整理/茜茜）

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