中国粉体网讯  第三代半导体材料是我国“新基建”战略的重要组成部分，作为第三代半导体的代表材料，碳化硅具有非常卓越的性能，在未来新基建中有着巨大的市场前景。

碳化硅半导体优势明显，市场迎来快速增长

作为第三代半导体的代表材料，碳化硅市场发展迅速。与硅材料相比，以碳化硅为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。随着下游行业对半导体率器件轻量化、高转换效率、低发热特性需求的持续增加，SiC在功率器件中取代Si成为行业发展的必然。

不同半导体材料性能对比

2014年全球碳化硅功率半导体市场仅为1.2亿美元，随着混合动力车、电动车、电源供应装置与太阳能电力转换器等市场需求不断增加，全球SiC功率半导体市场将从2017年的3.02亿美元快速增长至2023年的13.99亿美元，年复合增长率达29%。到2020年市场规模达到35亿元人民币，并以40%的复合年均增长率继续快速增长。

碳化硅半导体寡头竞争格局明显

碳化硅产业链可分为三个产业环节，一是上游衬底，二是中游外延片，三是下游器件制造。纵观整个碳化硅产业，美日欧呈现三足鼎立态势，寡头竞争局面明显。20世纪80年代以来，美、日、欧等发达国家为保持航天、军事和技术强国地位，始终将宽禁带半导体技术放在极其重要的战略地位，投入巨资实施了多项旨在提升装备系统能力。这些国家和地区在碳化硅半导体领域，已走在世界前列。SiC半导体器件产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE和日本罗姆公司、丰田公司等为代表。

美国：早在1997年制定的“国防与科学计划”中，美国就明确了宽禁带半导体的发展目标。2014年美国又主导成立了以碳化硅为代表的第三代半导体产业联盟，全力支持宽禁带半导体技术。美国在SiC领域全球独大，并且占有全球SiC市场70-80%的产量，拥有Cree、道康宁等具有很强竞争力的企业，Cree公司占据领跑者的位置。

日本：从1998年开始，日本政府持续资助宽禁带半导体技术研究。2013年，日本将SiC材料体系纳入“首相战略”，认为未来50%的节能要通过SiC器件来实现，以便创造清洁能源的新时代。日本企业在设备和模块开发方面具备优势，典型企业为罗姆半导体、三菱电机、富士电机、松下等。

欧洲：2014年，欧盟启动为期3年（2014-2017年）的，应用于高效电力系统的SiC电力技术研究计划(SPEED)，总投入达1858万欧元，7个国家的12家研究机构和企业参与了该计划。欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件、应用产业链，拥有英飞凌、意法半导体、Sicrystal、Ascatronl、IBS、ABB等优秀半导体制造商，在全球电力电子市场拥有强大话语权。

国内碳化硅半导体企业正全力赶超

与美日欧相比之下，我国碳化硅企业在技术、产能等方面虽然仍有欠缺，但当前我国碳化硅产业链已初具规模，具备将碳化硅产业化的基础，国内企业有望在本土市场应用中实现弯道超车，一些代表性的企业如天科合达、山东天岳、河北同光等竞争力不断提高。

天科合达

北京天科合达在碳化硅晶体生长、晶体加工、生长设备和制造方面深耕多年，工艺技术水平处于国内领先地位。2006年，该公司建立了国内第一条碳化硅晶片中试生产线。经过几年发展，天科合达在国内率先研制出6英寸碳化硅晶片。目前，天科合达已实现2英寸至6英寸碳化硅晶片产品的规模化供应。

天科合达主要产品包括碳化硅晶片、其他碳化硅产品和碳化硅单晶生长炉。其中，碳化硅晶片为核心产品，2019年营收达到0.7亿元、占2019年总营收的48.12%；2020年第一季度营收为0.2亿元，占2020年第一季度营收的62.83%。2020年7月14日，上交所正式受理了天科合达科创板上市申请。

山东天岳

山东天岳公司成立于2010年11月，是以碳化硅半导体衬底材料为主的高新技术企业。公司投资建成了第三代半导体材料产业化基地，具备研发、生产国际先进水平的半导体衬底材料的软硬件条件，是我国第三代半导体衬底材料行业的先进企业。山东天岳碳化硅产品主要有4H-导电型碳化硅衬底材料，其规格有2英寸、3英寸、4英寸以及6英寸，今后可以广泛应用于大功率高频电子器件、半导体发光二极管（LED），以及诸如5G通讯、物流网等微波通讯领域。

河北同光

河北同光晶体有限公司成立于2012年，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发和生产。公司主要产品包括4英寸和6英寸导电型、半绝缘碳化硅衬底，其中4英寸衬底已达到世界先进水平。目前，公司已建成完整的碳化硅衬底生产线，是国内著名的碳化硅衬底生产企业。

参考资料：

杨玺、苏丹等.简析碳化硅在半导体行业中的发展潜力

贺东葛、王家鹏等.碳化硅半导体材料应用及发展前景

芯东西.华为入股！国产碳化硅晶片龙头冲刺科创板

中泰证券.《宽禁带半导体行业深度：SiC与GaN的兴起与未来》

乐晴智库.碳化硅：第三代半导体关键材料

（中国粉体网编辑整理/初末）

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