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比亚迪半导体正规划自建碳化硅产线
5839 2020-12-24

中国粉体网讯  据财联社报道,比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示,比亚迪车规级的IGBT已经走到5代,碳化硅MOSFET已经走到3代,第4代正在开发当中。目前在规划自建产线,预计到明年有自己的产线。


12月21日,比亚迪发布投资者调研公告,回答了中信证券等调研者关于IGBT、比亚迪半导体等相关的问题。


比亚迪透露,在比亚迪市场化发展的战略布局下,比亚迪半导体作为中国最大的车规级IGBT厂商,仅用42天即成功引入红杉资本中国基金、中金资本、国投创新等知名投资机构,迈出了比亚迪市场化战略布局的第一步。后续比亚迪将加快推进比亚迪半导体分拆上市工作,并着手培育更多具有市场竞争力的子公司实现市场化运营,不断提升公司整体价值。


(中国粉体网编辑整理/山川)


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