中国粉体网讯  国内第一条碳化硅研发、生产全产业链生产线正在长沙崛起。今天，湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房在长沙高新区顺利封顶，标志着我省首个第三代半导体产业园项目（一期）建设取得重大突破，预计年中实现全面投产。

据了解，该项目总投资160亿元，分两期建设，全部建成投产后预计可实现年产值120亿元以上，可直接提供4500个就业岗位，并带动上下游配套产业产值预计超1000亿。届时，将成为一个具有国际影响力的碳化硅材料与器件产业生产基地，推动长沙先进半导体产业的壮大。

项目一期由中建五局三公司负责施工建设,主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，投产后将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线，产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件，可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线（5G）通信等。此次封顶的厂房占地面积23206平方米、建筑面积52326平方米，钢构大屋面面积为16500平方米。

“三安半导体项目对空气洁净度要求很高，其中芯片厂房更是提出了‘百级’洁净度的要求。”中建五局三公司项目负责人周祥介绍：“所谓‘百级’洁净，即每立方英尺的空气中≥0.5微米粒径的粒子数量不超过100个，堪比最高洁净等级手术室的标准。”

（中国粉体网编辑整理/山川）

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