中国粉体网讯  据昭和电工官网消息，公司已开始大规模生产直径为6英寸（150毫米）的碳化硅单晶片，用作SiC外延晶片的衬底材料，以加工并安装到SiC基功率半导体（SiC功率半导体）中。

图片来源：昭和电工官网

碳化硅是第三代化合物半导体的典型代表，具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，广泛应用于电力电子与射频等下游。碳化硅材料相比硅基材料具有宽禁带、电子饱和漂移速率高、热导系数高和熔点高等优势，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，作为衬底开发出更适应高温、高压、高频率和大功率等条件的半导体器件，广泛应用于新能源车、光伏及射频领域。半导体器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需要先在衬底上生长氮化镓或碳化硅外延层，得到外延片，再在外延片上制作适用于射频或电子电力领域的器件。

昭和电工作为SiC外延片的独立供应商，一直为功率器件制造商提供一流的SiC外延片，在全球市场占有率较高。昭和电工从2012年至2019年，先后6次扩大碳化硅外延片产能。2012年9月，昭和电工将4英寸碳化硅外延片的产能提高了2.5倍，达到每月1500片，并宣布将加快6英寸碳化硅外延片的开发。2016年6月，昭和电工继续扩大碳化硅外延片产能，并开始批量生产HGE（High Grade Epitaxy），月产3000片。2017年9月和2018年1月，昭和电工又进行了两次扩产。2018年7月，昭和电工进一步扩大其产能，将HGE产能从每月5000片增加到每月7000片。2019年2月，昭和电工又将碳化硅外延片产能增加到每月9000片。去年9月，昭和电工宣布与ROHM签订了功率半导体用SiC外延片的多年长期供应合同。

图片来源：昭和电工官网

在衬底方面，昭和电工一直在考虑自主生产SiC单晶片。2010年至2015年，作为“未来电力电子技术研发合作伙伴关系”的成员，昭和电工参与了由经济产业部和新能源与工业技术发展组织（NEDO）主办和委托的“新型半导体电力电子项目实现低碳排放”。此外，2018年，昭和电工接管了新日铁住友金属集团（当前的新日铁集团）的SiC晶圆相关资产，并从那时起一直在开发大规模生产SiC晶圆的技术。

这一次，昭和电工决定启动6英寸SiC晶片的内部批量生产。据其称，目前多家客户采用了由他们内部生产的6英寸SiC晶片制成的SiC外延晶片。另一方面，昭和电工将继续从其合作伙伴处购买SiC晶片，以应对电力半导体对SiC外延晶片的快速增长需求。因此，昭和电工将使SiC晶片的来源多样化，从而为SiC外延晶片建立稳定的供应链。

参考来源：昭和电工官网、中金研究

（中国粉体网编辑整理/山川）

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