中国粉体网讯  近日，据厦门火炬高技术产业开发区消息，位于高新区同翔高新城（翔安片区）的瀚天天成碳化硅产业园二期顺利竣工，并于3月底进行联合验收，项目计划今年二季度投产。

据了解，瀚天天成碳化硅产业园项目总投资6.3亿元，一期项目已建成投产。拟建设6英寸SiC外延晶片生产线项目，建成投产后预计年产值20亿元。此前，瀚天天成曾表示将首次突破碳化硅外延年出货量10万片大关，年底前产能将远超国际竞争对手。

瀚天天成成立于2011年，目前可提供标准的3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，应用于600V～6500V碳化硅电力电子功率器件，包括用于肖特基二极管（SBD）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、结型场效应晶体管（JFET）和双极结型晶体管（BJT）的制作。2021年3月，瀚天天成联合电子科技大学、中国科学院相关院所、重庆伟特森电子科技有限公司，突破了碳化硅超结深槽外延关键制造工艺，助力国产高性能超结碳化硅器件研发。此外，2020年，瀚天天成获华为哈勃投资入股。

碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底。

碳化硅外延材料生长是是制备所需碳化硅功率器件的关键技术和瓶颈，许多重要器件所要求的结构必须由外延生长来完成。碳化硅器件的性能很大程度上取决于碳化硅外延结构材料的制作水平，不但要求外延材料表面形貌好、纯度高、缺陷密度低，而且要求在宽范围内能够实现掺杂浓度的精确控制，厚度和掺杂的均匀性高。考虑到经济效益与制造成本，目前化学气相沉积（CVD）法成为工业化碳化硅外延生长的主要方法。

目前，在全球市场中，外延片企业主要有 DowCorning、II-VI、Norstel、Wolfspeed、罗姆、三菱电机、Infineon 等。我国 SiC 外延材料研发工作始于“九五”计划，材料生长技术及器件研究均取得较大进展。主要研究单位有中科院半导体研究所、中电集团 13所和 55 所、西安电子科技大学等，产业化公司除了瀚天天成外，还有东莞天域。

参考来源：

[1]化合物半导体市场

[2]田亮.碳化硅功率器件关键工艺研究

[3]半导体行业观察.SiC整条产业链，华为投全了

（中国粉体网编辑整理/山川）

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