中国粉体网讯  7月12日，罗姆官网宣布，他们将在日本扩建第3个SiC晶圆厂，而且是8英寸工厂，预计产能将是罗姆2021年总产能的28.5倍！

根据公告，罗姆透过子公司Lapis半导体，与Solar Frontier达成基本协议，将收购Solar Frontier的宫崎县国富工厂资产，并将该工厂改造为8英寸SiC晶圆制造工厂，以扩大产能。

据悉，原国富工厂占地面积约40万平方米，收购完成后，其中约11.5万平方米用于改造为SiC生产大楼，该收购预计将于2023年10月生效。

对于此次收购，罗姆表示，利用现有建筑物和洁净室，该工厂可以实现超快速生产启动，预计将于2024年底开始运营投产。罗姆目标是到2030财年，SiC产能与2021财年相比将增加35倍。

新工厂概要

截至目前，罗姆在日本福冈、宫崎两县建成了2个SiC制造基地：

▶ 福冈县筑后阿波罗工厂：2022年6月，该工厂举行了生产大楼开工仪式，生产大楼的扩建投资约200亿日元（约10亿人民币）；同年12月开始量产SiC功率半导体。这将是一座6英寸和8英寸兼容的SiC晶圆厂。

▶ Lapis 清武町工厂：2021年1月，该工厂举行了竣工仪式并开始安装生产设备，同年开始批量生产第四代SiC MOSFET。

罗姆3个碳化硅晶圆厂（粉色框）

罗姆表示，2025年度筑后厂+清武町厂的SiC功率半导体月产能(折合6英寸)将提高至2021财年的6.5倍；而到了2030年，加上国富新工厂后，罗姆的SiC器件总产能将进一步扩增至2021财年的35倍。

也就说，从2025-2030年，国富新工厂的SiC产能将逐步扩大到2021财年的28.5倍。

SiC业务产能扩张计划

（中国粉体网编辑整理/空青）

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