中国粉体网讯  三安光电宣布，旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发，产品进入小批量生产及送样阶段。

据介绍，湖南三安依托精准热场控制的自主PVT工艺，8英寸碳化硅衬底实现更低成本及更低缺陷密度，后续将持续提升良率，加快设备调试与工艺优化，并持续推进湖南与重庆工厂量产进程。

据了解，2021年6月，总投资160亿元的湖南三安半导体产业园项目一期正式点亮投产；2022年7月，项目二期开建，总投资为80亿元，达产后配套年产能为36万片。今年6月，三安光电宣布与意法半导体签署协议，将在重庆建立8英寸碳化硅器件合资制造厂。按照计划，该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元（约合227.8亿人民币），将于2025年第四季度投产，预计在2028年全面建成。

三安光电是中国第一家、全球第三家实现全产业链垂直整合的企业，产业链布局包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装。“碳化硅产业发展初期实现垂直整合，能够很好应对不同场景的可靠性问题。”一名产业人士如是称。

三安光电碳化硅器件上车进展加速。据了解，该公司推出了650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET，产品具备高性能、高一致性和高可靠性等特点，并可根据客制化要求，提供多种灵活工艺方案。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆变器的辅助电源，1200V/75mΩ MOSFET则主要应用于新能源汽车的OBC，两款产品均处于客户端导入阶段，将逐步批量供货；1200V /16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证，预计于2024年正式上车量产。

碳化硅行业三个重点环节（衬底、外延和器件）中，衬底在产业链中价值量占比最高，接近50%。碳化硅市场以6英寸为主流，而8英寸能够生产的晶粒数约为6英寸SiC晶圆的1.8倍，晶圆利用率和产能将会显著提高，可将单位综合成本降低 50%。

有产业人士称，今年将会是8英寸碳化硅元年。今年以来，国际功率半导体巨头Wolfspeeed、意法半导体等加速发展8英寸碳化硅。而国内市场来看，碳化硅设备、衬底及外延环节亦迎来突破性进展，并且多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头联手。

除三安光电外，天科合达去年年底发布8英寸导电型碳化硅衬底产品，并宣布将于今年内实现8英寸导电型碳化硅衬底小规模量产。今年5月，天科合达与英飞凌签署长期协议，天科合达将提供200毫米（8英寸）直径碳化硅材料，帮助英飞凌向200毫米直径晶圆的过渡。

天岳先进此前亦曾表示，公司已经具备8英寸导电型碳化硅衬底的量产能力。在今年的Semicon China展会上，天岳先进公布了业内首创的采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。天岳先进在今年5月与英飞凌签订了一项新的晶圆和晶锭供应协议，供货碳化硅6英寸衬底、合作制备8英寸衬底。

晶盛机电此前宣布，公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底工艺和技术，成功生长出8英寸N型碳化硅晶体，解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均，晶体开裂、气相原料分布等难点问题。晶盛机电此前亦宣布将会在今年内实现8英寸产品小批量量产。

科友半导体实现了6英寸SiC单晶衬底的规模生产和批量供货，以及8英寸SiC单晶衬底的小批量生产及供货。今年9月，科友首批自产8英寸SiC衬底，于科友产学研聚集区衬底加工车间成功下线。

（中国粉体网编辑整理/空青）

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