中国粉体网讯 根据《中华人民共和国对外贸易法》和《中华人民共和国技术进出口管理条例》,现公布《中国禁止出口限制出口技术目录》,自公布之日起实施,商务部、科技部公告2020年第38号(《〈中国禁止出口限制出口技术目录〉调整内容》)同时废止。属于军民两用技术的,纳入出口管制管理。
中国禁止出口限制出口技术目录涉及造纸和纸制品业、医药制造业、非金属矿物制品业、有色金属冶炼和压延加工业、金属制品业等多个行业领域。其中对于非金属矿物制品业的禁止、限制出口技术要求如下:
禁止出口部分
编号:083001J
技术名称:非晶无机非金属材料生产技术
控制要点:激光技术用大功率、大尺寸钕玻璃制备工艺技术
编号:083002J
技术名称:低维无机非金属材料生产技术
控制要点:具有下列特征之一的硬质低密度、粘结着碳纤维或非纤维状碳的绝热材料生产技术
1.可在2273K(2000℃)以上高温条件下使用
2.密度在100~300kg/m3之间
3.压缩强度在0.1~1.0MPa之间
4.挠曲强度≥1.0MPa
5.碳含量占总固体的99.9%以上
限制出口部分
编号:083001X
技术名称:无机非金属材料生产技术
控制要点:
1.非金属纤维无石棉增强抗磨材料制备技术
(1)非金属纤维无石棉增强材料的配方和加工工艺
(2)抗磨剂生产技术
2.连续SiC(碳化硅)纤维生产技术
(1)聚碳硅烷分子量及分子量分布控制技术
(2)有机硅聚合物连续纺丝技术
(3)二步不熔化处理技术
(4)聚碳硅烷裂解合成工艺
3.具有下列特征的碳纤维制品加工技术
(1)细编穿刺织物技术
(2)三向锥体织物技术
4.氮化硼(BN)纤维防潮涂层制备技术
5.氧化锆纤维隔热材料制备技术
6.化学气相沉积法(CVD)制备碳化硅(SiC)纤维技术
编号:083002X
技术名称:人工晶体生长与加工技术
控制要点:
1.二氧化碲(TeO2)及钼酸铝〔Al2(MoO4)3〕单晶生长工艺及基片的精加工技术
2.超长(>250mm)铌酸锂晶片的制作方法
(1)长度>280mm,直径>40mm铌酸锂晶的生长技术
(2)长度>250mm,铌酸锂单晶片精加工技术
3.长度>180mm的硅酸铋(BSO)、锗酸铋(BGO)单晶生长工艺及晶片加工技术
4.75-3水溶性光致抗蚀掩孔干膜制备工艺
5.制造自泵浦相位共轭器(SPPCM)用钨青铜光析变单晶生长工艺
6.铌酸钾(KNbO3)晶体的原料处理技术和生长工艺
7.磷酸氧钛钾(KTP)晶体生长控制技术
8.具有下列性能的抗辐射人造水晶生长工艺
(1)品质因数(Q)值≥3×106
(2)包裹体级别不低于IECI(国际电工技术委员会)的A级
(3)铝(Al)含量≤1ppm
(4)腐蚀隧道密度≤10条/cm2
9.稀土-铁(Tb-Dy-Fe系)超磁致伸缩单晶材料的制备技术
(1)提拉法无污染磁悬浮冷坩埚晶体生长工艺
(2)单晶成份及结构控制技术
10.四硼酸锂、三硼酸锂(LBO)晶体的生长工艺
11.掺钕硼酸铝钇(NYAB)晶体的生长工艺
12.钛酸钡锶(SBT)晶体的生长工艺
13.偏硼酸钡(BBO)晶体的生长工艺
14.硼铍酸锶(SBBO)晶体的生长工艺
15.KBBF晶体生长与棱镜耦合器件加工技术
16.硅酸钇镥(LYSO)晶体生长工艺
17.溴化镧(LaBr3:Ce)晶体生长工艺
编号:083003X
技术名称:聚合物基复合材料生产技术
控制要点:
1.用于航天器壳体的纤维增强树脂基复合材料生产技术
2.用于高压容器(压力≥25MPa)的纤维增强树脂基耐烧蚀、隔热、防热、复合材料生产技术
3.容重1.5~1.7g/cm2,烧蚀率≤0.22mm/s的纤维增强树脂基耐烧蚀复合材料生产技术
4.热熔法工艺中树脂基体配方
(中国粉体网编辑整理/黑金)
注:图片非商业用途,存在侵权告知删除!