中国粉体网讯  据日经新闻消息，日本富士电机将在2024～2026年度的3年内向半导体领域投资2000亿日元（折合人民币约100亿元）规模，重点将放在用于纯电动汽车(EV)电力控制等的功率半导体上，计划在日本国内工厂新建碳化硅(SiC)功率半导体的生产线，提高产能。

碳化硅（SiC）是一种性能优异的半导体材料，与传统的硅材料相比，具有更高的硬度和耐久性，能够承受更高的电压和更大的电流。随着电动汽车市场的迅猛增长，对功率半导体的需求也在不断扩大。因此，富士电机选择投资这一领域，以抓住不断扩大的市场需求。在截至2023年度的为期5年的现有中期经营计划中，富士电机一直以每年400亿日元的速度在半导体领域展开投资。从2024年度开始的3年新中期经营计划将改为每年700亿日元，加速投资。

其中，富士电机将在松本工厂(长野县松本市)建设“光刻前工程”生产线，将在2027年度以后开始生产使用8英寸大型晶圆的碳化硅功率半导体。富士电机计划从2024年度开始在津轻工厂(青森县五所川原市)量产6英寸碳化硅功率半导体。通过进一步扩大晶圆尺寸，可用一块晶圆切割的芯片数量将随之增加，有望提高生产效率。

（中国粉体网编辑整理/空青）

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