北京大学首次成功研制出10纳米碳纳米管CMOS器件，该器件速度是硅基器件的5倍，而功耗仅为1/5，并在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。

意大利特伦托大学的科学家希望使蜘蛛能织出加入了碳纳米管甚至是石墨烯的网，从而制造出具有打破纪录特性的新材料。

中国粉体网讯 随着电子元器件及消费类电子产品向着小型化、智能化和可穿戴方向发展，要求基于高密度电子封装的微纳器件须具备柔性及可延展化等特点，以促进人与信息的高效交换，这对构成器件的导电基元材料提出了更加严苛的挑战。除了满足基本的电气互联外，导电基元材料还需具备优异的力学强度、压阻特性以及循环稳定性等特点。因此，将纳米尺度的导电基元进行合理、有效的宏量组装，是未来制备高性能柔性电子器件的发展趋势，具有重要的科学意义和应用前景。 　　近年来，基于一维碳纳米管（CNT）材料和零维金属纳米颗粒杂化的三维结构材料制备的柔性或弹性电子器件因兼备优良的电性能、

中国粉体网讯 随着可以检测运动和健康状况的可穿戴电子设备的出现，对于更柔性发光设备的需求日益增长着。一项研究人员感兴趣的方向是开发集成了发光装置的布料。不幸的是，布料本身并不能作为一个适合的发光材料的表面。然而，一个科学家团队已经找到解决这个问题的方法，就是利用叫发光装置纤维的新技术把发光装置直接集成入面料中。 　　来自我国的该研究团队，研发了聚合物发光电化学电池(PLECs)。与许多其他发光设备相同，PLECs具有两个金属电极，两电极与作为半导体的有机薄层相连接。因为PLECs把移动的离子加入进半导体中，它们相比于其他发光二极管(LEDs)

中国粉体网讯 由以色列特拉维夫大学、耶路撒冷希伯来大学和英国纽卡斯特大学的研究人员组成的国际小组，开发出一种包含碳纳米管和纳米棒的薄膜，有望作为一种无线植入设备，可以达到极佳的诱导视网膜光刺激效果。在膜结构中，纳米棒散布于整个3维的多孔纳米管矩阵里，最后使膜形成一种适于植入的柔韧灵活的基质层。研究人员把这种膜贴附在14天大的小鸡的视网膜上，视网膜就会产生光致电流——这是一种神经信号，这种信号传入大脑后可以由大脑来解释处理。

中国粉体网讯 韩国科学技术院(Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST)在半导体电路技术国际学会“ISSCC 2015”上发表论文演讲，介绍了使用CMOS与碳纳米管制成的医疗用传感器(演讲编号：16.6)。该传感器是在利用0.35μm工艺制造的CMOS晶圆上配置碳纳米管电极制成的。 　　这种传感器的特点是不使用金属电极连接导线。导线主要用于与外部进行信号交换以及提供电源电压，而此次的传感器则是让笔式阅读器直接接触金属板上的传感器以加载电压，然后通过与笔式阅读器相连接的个人电脑

中国粉体网讯 美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家日前在碳纳米管晶体管制造技术上获得了一项突破。由其开发出的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题，在开关速度上获得了比普通硅晶体管快1000倍，比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍的成绩。碳纳米管晶体管向正式商用迈出了关键一步。相关论文发表在《美国化学学会·纳米》杂志上。 碳纳米管是将单层的碳原子薄片卷起形成的管状材料，作为一种半导体材料，碳纳米管有很多优于硅的天然属性，其中的电子可以比硅晶体管更轻松地转移，实现更快速的数据传输，很早就被认为是制造下一代晶体管的理想材料

中国粉体网讯 碳纳米管因其一维的管状分子结构，表现出优异的力学、电学和光学等性质，在微纳光电子器件、生物医药、新能源材料等方面具有广阔的应用前景。碳纳米管特殊的性质来源于其结构。原子结构排列上的微小差异将导致碳纳米管光电性质的巨大区别。如：碳纳米管由于结构的不同可以是金属性的，也可以是半导体性的；每一种手性碳纳米管有一对左右螺旋对称的镜像体，表现出相反的旋光特性（被称作旋光异构体）等。宏量获取单一结构、均一性质的碳纳米管是研究其性质，推动其应用的关键。现有的碳纳米管生长技术或生长后处理技术均很难制备单一结构的碳纳米管，严重阻碍了碳纳米管性质和应用研究。　

中国粉体网讯 涂料本身有着悠久的历史。目前尚不清楚为什么史前画家能够在洞穴壁上画出动物图案，但是现在我们可以用涂料来涂装表面，既可以起保护作用又有装饰效果。涂料的化学性也因此而得到不断改进。目前，许多基本配方包含油、醇酸树脂、乳液、环氧以及其它成分。除此之外，还有五彩缤纷的色彩和各种各样的涂装效果。 最近，在涂料中又出现了新的重大进展，该技术是在基础配方中采用了碳纳米管（CNTs）。在各种初期应用中，该新兴涂料化学为防腐性提供了强有力且可行性的保障。 纳米技术 纳米技术是指在原子尺度上研究物质的相互作用。作为涂

中国粉体网讯 美国史丹佛大学(StanfordUniversity)的研究人员们在日前举办的2014年国际电子元件会议(IEDM)上展示了真正的3D晶片。大部份的3D晶片采用矽穿孔(TSV)的方式推叠不同的制造晶片，例如美光科技(MicronTechnology)的混合记忆体立方体(HMC)推叠DRAM晶粒。 此外，总部设于美国奥勒冈州的新创公司BeSang将其专有制程技术授权给南韩的海力士半导体(SKHynixInc.)，用于打造出无需透过TSV的真正3D技术。 然而，史丹佛大学所展示的是任何晶圆厂都能在标准的互补式金属氧