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我国硅衬底InGaN基半导体激光器研究方面取得重要进展

硅是半导体行业最常见的材料,基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中,随着技术的发展,研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。针对这一关键科学技术问题,中科院苏州纳米所采用AlN/AlGaN缓冲层结构,在硅衬底上成功生长了厚度达到6 μm左右的InGaN基激光器结构,实现了世界上首个室温连续电注入条件下激射的硅衬底InGaN基激光器。

2016年08月18日 更新
两校联合成功研制硅基导模量子集成光学芯片

中科大郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室任希锋研究组与浙江大学戴道锌教授合作,首次研制成功硅基导膜量子集成芯片,实现了单光子态和量子纠缠态在偏振、路径、波导模式等不同自由度之间的相干转换,为实现集成量子光学芯片中高维量子信息过程奠定了重要基础。

2016年07月15日 更新
黑磷有望取代硅成新型半导体材料

中科院固体所物质计算科学研究室邹良剑研究员与中国科技大学陈仙辉教授研究团队以及香港大学沈顺清教授合作,在静水压调控块体黑磷的电子结构研究方面取得重要进展,证明压力下黑磷可以从半导体转变成狄拉克半金属,黑磷有望借此技术向半导体材料迈出重要一步,取代石墨烯也并非没有可能。

2016年06月23日 更新
“十三五”无机硅化物行业确定四大任务

“控制总量优化布局、加强创新提高产品精细化率、培育发展企业知名品牌以及构筑循环经济推进责任关怀,是“十三五”期间行业要完成的四大任务。未来5年我们行业的发展目标是硅酸钠产量400万吨、白炭黑产量180万吨、分子筛140万吨、硅胶40万吨、硅溶胶60万吨、偏硅酸钠50万吨。

2016年06月07日 更新
安普瑞斯高容量硅纳米线负极生产线运行

安普瑞斯(Amprius)公司完成了硅纳米线负极生产线的制备并投入中试生产。这是世界上第一条,也是唯一的一条双面连贯印刷式,高精度,3维纳米线生产线。这条生产线的建成初步实现了高容量硅纳米线负极的规模生产。

2016年05月26日 更新
“十三五”我国有机硅工业发展机遇

成都硅宝科技董事长王跃林在接受记者采访时表示,中国经济进入新常态后,经济发展将更加依赖高新技术和高性能材料,更加重视安全环保。有机硅材料具有许多其它材料所没有的独特而优异的性能,技术升级、产品换代将给有机硅材料的应用带来更多的机遇。

2016年05月05日 更新
碳酸锂和多晶硅的“涨”有何不同?

锂电池产业链的泡沫之争大概归结为碳酸锂、六氟磷酸锂的价格泡沫是否可持续,动力锂电池是否马上产能过剩这两点。那么碳酸锂、六氟磷酸锂的涨价有何不同呢?

2016年05月04日 更新
韩国开创单晶镍硅化物纳米线合成新法

韩国材料研究所韩承殿(音译)博士团队,江原大学的林成焕(音译)教授,延世大学的韩炳灿(音译)教授团队开发了一项新技术。利用金属间化合物的高耐腐蚀性,将金属基体用酸溶解,通过这种方法可以成功生产单晶镍硅化物。

2016年01月07日 更新
商南百亿硅科技产业园加紧建设

商南硅科技产业园2014年9月被省政府确定为“全省重点建设县域工业集中区”。项目总投资50.8亿元,占地面积1620亩,目前正在加紧建设。项目全部建成后,预计生产装置总投资50.8亿元,实现年均销售收入超百亿元,企业年均上交利税近25亿元,可新增就业岗位3000多个。

2015年12月07日 更新
中国科大低温合成硅纳米锂离子电池负极材料

中国科学技术大学钱逸泰课题组发展了一种在200℃熔盐体系中,采用金属Al或Mg还原二氧化硅或硅酸盐制备纳米硅材料的方法。将该材料应用于锂离子电池负极材料,展示出优异的电化学性能。

2015年11月23日 更新
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