日前，据日本媒体报道，日本经济产业省（METI）计划为致力于开发新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持。报道指出，METI将为明年留出大约2030万美元的资金去资助相关企业，预计未来5年的资助鬼母将超过8560万美元。

近年来，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，并凭借比SiC和GaN更宽的禁带，又成为了众多研究者的研究重点。

2019全国科技活动周暨北京科技周活动在中国人民革命军事博物馆举办。近300项人工智能、集成电路、航空航天、智能设备、前沿材料等领域科技创新成果、科普展项和互动体验产品等集中展示。 　　其中，第四代半导体氧化镓材料及其器件获得了广泛关注，作为具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强的第四代超宽禁带半导体材料，拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，应用潜力巨大，市场前景广泛。本次展出的是由北京镓族科技公司带来的氧化镓晶胚、外延片以及基日盲紫外线探测阵列器件。