高性能氮化铝陶瓷材料项目源于清华大学国家863科技成果，建成后年产氮化铝基板720万片，氮化硅基板300万片。

要使氮化铝陶瓷作为电子器件来使用，往往需要跟其他材料（金属、合金等）进行有效连接，为了方便连接，很多情况下需要先将其金属化处理。

氮化铝（AlN）是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性，以及高导热、抗辐射等优异性能。是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料，也是高功率、高频电子器件理想衬底材料。

1月22日，旭光电子发布公告拟募资5.5亿元用于氮化铝、氮化硅陶瓷基板、高温共烧多层基板等建设。

第四代混合集成技术主要特征表现为功率陶瓷一体化封装、3D打印及IPD、倒装焊及TSV芯片、多维度组装、微纳级组装、激光加工技术、KGD技术与密封前老炼、数字化工厂、全寿命周期管理等特征。

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一种新形态的金刚石——次晶态金刚石

相对于氮化硅而言，氮化硅铁价格更低廉，也便于进行工业化推广和生产，因此已被用为耐火材料的原料、高温结合相和高温结构材料，现已广泛应用于高炉铁沟浇注料和炮泥中。

氮化硅陶瓷具有很高的理论热导率，而影响陶瓷导热性能的关键是第二相含量和晶格缺陷，尤其是晶格内氧缺陷对氮化硅陶瓷导热性能影响很大。

本文重点介绍粉体网微信公众号最受关注的10种材料。