氮化镓(GaN)被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，具有带隙宽、原子键强、导热率高、化学性能稳定、抗辐照能力强、结构类似纤锌矿、硬度很高等特点，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用等方面有着广阔的应用前景。

据BusinessKorea报道，韩国科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一个团队成功开发出一种能够替代氮化镓生产蓝光LED的新型LED材料。据悉，这是韩国在努力减少在材料与零部件领域对日本的依赖之际实现的技术突破。

随着此类第三代半导体材料具有更高效节能、更高功率等优势，更适用在5G通讯、超高压产品如电动车领域，未来市场成长看好。

3月3日上午，南湖区举行一季度重大项目集中开竣工活动，参加本次集中开竣工活动的项目共54个，总投资达219.96亿元，开竣工项目数量、总投资以及项目平均投资额均创南湖区历史新高。

湖南顶立科技有限公司创办于2006年，是一家专业从事新材料及高端特种热工装备研发、生产的民营高科技军工企业。

横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体与专业半导体代工企业台积电携手合作，加快氮化镓（GaN）工艺技术的开发以及GaN分立和集成器件的供货。通过此次合作，意法半导体创新的战略性氮化镓产品将采用台积电领先业界的GaN制造工艺。

2月21日下午，无锡先导集成电路装备与材料产业园签约仪式顺利举行。仪式上作为产业园的首个落户项目，吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目正式签约。

巴拉特重型电力有限公司(BHEL)已经邀请能够提供至少4.62W输出和至少18.8%效率的1200万个多晶硅太阳能电池的制造商投标。国有工程师和制造商规定电池的尺寸为156.75×156.75±0.25mm或157×157±0.25mm，最小厚度为200微米。该设备还必须具有经过等离子体处理的化学气相沉积氮化硅作为抗反射涂层。

GaN材料具备高功率、高频率、高导热等优势，所做充电芯片实现了输出大功率的同时保持充电器体积可控。

氮化硼不仅可有效提高聚合物基体的导热性，同时还能保持材料的电绝缘性，所以是制备填充型高导热、绝缘复合材料的首选。