碳化硅单晶材料是第三代宽禁带半导体材料的代表，对电子产业的发展起到强有力的支 撑。晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本保证，任何具有优异特性的材料只有在成功有效的加工技术下才能发挥实际效能。本文介绍了切割工艺，通过工艺实验及对实验结果的分析，确定了切割工艺参数。

青海出大招控制“两高”行业新增产能，坚决遏制产能过剩行业扩张。

据俄罗斯卫星网10月5日报道，萨马拉科罗廖夫大学新闻办宣布，萨马拉科学家们正在研制一种核能电池，使用期可达100年。 萨马拉科学家计划今年就能获得新型电池的试验样本

碳化硅半导体技术门槛极高，在碳化硅半导体材料工业化批量生产、加工的各个环节都会有一个又一个新的世界级的难题需要去逐个破解，需要进行大量的产业化实验，实际上对实施产业化企业的研发能力和研发投入提出了更高的要求。山东天岳大胆实施的一系列协同创新布局不仅使公司能够紧跟世界碳化硅半导体技术发展的最前沿，继续保持着技术领先地位，同时对全球碳化硅半导体科技资源的整合，山东天岳公司获得了顶级的全球性联合研发团队，为未来技术发展打下了坚实的基础。

中国科学院光电技术研究所轻量化中心在碳纳米管增强反应烧结碳化硅复合材料研究中取得新进展：采用碳包覆碳纳米管，渗硅过程中原位反应生成SiC包覆层，可有效地保护碳纳米管，从而增韧补强碳化硅。

中国粉体网讯 绿碳化硅微粉生产方式与黑碳化硅基本相同，只是对原材料的要求不同。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成，经冶炼成的结晶体纯度高，硬度大，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉。生产工艺绿碳化硅制造方法同黑色碳化硅，但采用的原材料纯度要求较高，也在电阻炉中2200°C左右的高温下形成，绿色，呈半透明状，六方晶形，其Sic含量较黑色为高，物理性能与黑色碳化硅相近，但性能略较黑色为脆，也具有较好的导热性与半导体特性。按形状可分为平形砂轮、斜边砂轮、筒形砂轮、杯形砂轮、碟形砂轮等；按结合剂可分为陶瓷

今年，西宁市计划淘汰5户企业落后工艺和设备，淘汰落后产能21万吨，涉及碳化硅、化工、碳素等行业，被列入淘汰范围的落后产能全部实施关停；促进低能耗产业尽快投产达产；奖励和补贴企业节能技术改造。

中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室A02组发展了基于SiC粉末制备石墨烯/SiC核壳异质结材料（GCSP）的方法。通过在真空条件下对微米尺寸的6H-SiC粉末进行高温退火处理，就可在SiC颗粒表面原位生长出完全包覆SiC颗粒的高质量石墨烯。

中国科学院上海硅酸盐研究所与湖州经济技术开发区管理委员会就碳化硅晶体项目正式签署合作协议。双方将立足国家和地方产业发展，聚焦碳化硅晶体材料和相关半导体器件产业的发展，重点开展碳化硅晶体研发和产业化工作。

我国碳化硅产品标准的不足值得我们深思。我们应该根据目前碳化硅市场的客观情况对我国现行的相关国家标准进行修订和完善，以规范我国碳化硅市场。