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甬江实验室张瓦利研究员专访
SiC器件高压高温工况,AMB基板要怎么进步?
2026第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会,5月28日相约安徽·合肥
烁科晶体市场技术刘晓星报告
走进绿碳化硅微粉源头生产厂家——盛世新材
SiC晶圆抛光,谁是硬骨头?——访河南工业大学副教授班新星
从光伏级到陶瓷级,金盛昊新材料靠质量站稳脚跟
激光剥离技术凭借非接触式加工、高精度和灵活性的优势,成为碳化硅切片领域的研究热点。
助溶剂的合理选择是提高SiC晶体生长效率与生长质量的关键因素。