中国粉体网2月21日讯 在电能的产生、输送和分配过程中,电力传送效率和使用效率至关重要。当前,电力传输功率器件主要是基于硅材料,由于发展了30年,硅材料的物理性能已经发掘殆尽。碳化硅作为半导体界公认的“一种未来的材料”,具有巨大的发展潜力。日前,泰科天润半导体科技(北京)有限公司实现了碳化硅肖特基二极管功率器件的量产。这对我国电力电子业的长远发展具有深远意义。 碳化硅材料带来革命性变化 碳化硅材料能够抗高温,如果汽车采用碳化硅功率器件,将出现革命性变化。 碳化硅材料有着广阔的用武之地,小到电脑、家电,大到混合电动车,再大到
2014年02月21日 更新中国粉体网1月22日讯 1月20日,泰科天润半导体科技(北京)有限公司在京宣布,经过两年攻关碳化硅肖特基二极管多个产品已经量产,产品涵盖600V—3300V等中高压范围。这是国内第一次进行碳化硅大功率器件的批量生产,在以美国欧洲日本为主导的第三代半导体领域中打开了关键的突破口。 作为最有广阔发展前景“一种未来的材料”,碳化硅属于“宽禁带”的第三代半导体,以此为材料的功率器件具有更低的寄生电阻,更大的电流密度和更快的开关速度,在提高能源利用方面较目前的硅基器件有着无与伦比的优势,将从本质上提高电力传送效率和使用效率,可以在高压、高频、大电流环境
2014年01月22日 更新中国粉体网1月20日讯 近日,总投资1.8亿元的“立方碳化硅微粉及晶须产业化项目”正式签约落户西安航空基地。该项目的落户,为西安航空基地新材料产业集群的壮大再添新活力。 立方碳化硅(β-SiC)是一种战略性新材料,具有抗磨、耐高温、耐热震、耐腐蚀、耐辐射、良好的半导电特性等优良性能,被广泛应用于航空航天、兵器工业、精密加工、电子信息等领域。立方碳化硅粉体和晶须的深加工涉及材料、化学、物理、机械等多个学科,具有很高的技术含量,其核心技术只有日、美、法、德等少数发达国家掌握。 “立方碳化硅微粉及晶须产业化项目”的落户,则一举填补了立方碳
2014年01月20日 更新中国粉体网12月25日讯 记者从召开的保定·中国电谷第三代半导体材料(碳化硅)产业集群发展研讨会上获悉,河北省首个碳化硅材料实验室在保定市揭牌,保定高新区与中科院半导体研究所正式签署战略合作协议。作为高新区打造“保定中关村”的重要产业步骤,此举有助于完善中国电谷产业链,助推保定市新材料、智能电网等战略性新兴产业的发展。 研讨会上,高新区与中科院半导体研究所签署战略合作协议。双方将在科技成果转化、人才培养、建立新产品中试基地、打造“中科保定科技产业园”等领域展开多层次合作;逐步将保定高新区打造成中科院半导体研究所成果转化基地,推进半导体材料及
2013年12月25日 更新中国粉体网10月25日讯 有机硅领域的巨头美国道康宁公司(Dow Corning)正在碳化硅(SiC)研发上发力。 近日,道康宁全球总裁、CEO韩山柏(Robert D. Hansen)表示,道康宁在碳化硅领域的下一个投资重点将在亚洲。 碳化硅是道康宁硅基技术的一项关键品,主要有三个应用领域:新能源汽车电池、电网还有高铁轨道交通。在这三块方面,目前中国都是发展最快的市场。 碳化硅可提升新能源汽车的续航能力。在高铁领域,碳化硅晶圆能够加快在高功率下动力来源的切换速度,提高能源效率。“今天碳化硅半导体组件已经替代硅半导体组件
2013年10月25日 更新中国粉体网9月30日讯 中红外波段激光在分子光谱、气体探测、环境保护、医学、激光通讯、红外遥感及光电对抗等领域具有重要的应用,非线性光学频率变换是目前获得中红外激光的有效途径。常用的中红外非线性光学晶体(硫化物及硒化物等)受到低激光损伤阈值(
2013年09月30日 更新中国粉体网8月16日讯 美国地质调查局(USGS)数据显示,2009年全球碳化硅产能101万吨。主要拥有产能的国家有中国、挪威、日本、墨西哥、巴西、美国和加拿大(合计)、德国、委内瑞拉等国,其产能分别为45.5万吨、8万吨、6万吨、4.5万吨、4.3万吨、4.26万吨、3.6万吨和3万吨。 我们认为美国地质调查局的数据比较陈旧,对全球碳化硅产能的估算,特别是对中国的估算存在严重偏差。根据数据,截至2012年底,全球碳化硅产能达260万吨以上,产能达到1万吨以上的国家有13个,占全球总产能的98%。其中中国碳化硅产能达到220万吨,占全球总
2013年08月16日 更新碳化硅(Sic)又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。可以称为金钢砂或耐火砂。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,该材料技术还大量应用在制作电热元件硅碳棒。
2013年08月16日 更新中国粉体网8月9日讯 中国目前已基本建成了一套由国家标准、行业标准、地方标准和企业标准组成的标准体系或标准框架体系。目前我国碳化硅无强制性标准,推荐性标准共十四项,行业标准共五项。 我国现执行的碳化硅产品技术条件国家标准(GB/T2480—2008),根据不同用途分牌号规定了粒度组成、化学成分、磁性物含量、铁合金粒、密度等项目,相对应的检测分析方法全部等同或等效采用了最新版本的国际标准ISO8486(F磨料粒度组成)、ISO6344(P磨料粒度组成)、ISO9286(化学分析方法)和欧洲磨料生产者协会标准FEPA42GB、FEPA43GB、F
2013年08月09日 更新Microsemi公司1月15日宣布推出了新一代碳化硅(SiC)标准电源模块,非常适用于大功率开关模式电源供应器、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。该电源模块系列还扩展了温度范围,以满足新一代电源转换系统对于功率密度、工作频率和效率的更高要求。 SiC技术比硅材料提供更高的击穿电场强度和更好的热传导性,从而提高性能参数,包括零反向恢复、不受温度影响反应、耐压能力和运行温度,使性能、效率和可靠性迈向新高度。 Microsemi的新SiC电源模块具有多种电路拓扑结构,可集成到小型封装。新模块
2013年01月18日 更新