中国粉体网12月25日讯 记者从召开的保定·中国电谷第三代半导体材料（碳化硅）产业集群发展研讨会上获悉，河北省首个碳化硅材料实验室在保定市揭牌，保定高新区与中科院半导体研究所正式签署战略合作协议。作为高新区打造“保定中关村”的重要产业步骤，此举有助于完善中国电谷产业链，助推保定市新材料、智能电网等战略性新兴产业的发展。 　　研讨会上，高新区与中科院半导体研究所签署战略合作协议。双方将在科技成果转化、人才培养、建立新产品中试基地、打造“中科保定科技产业园”等领域展开多层次合作；逐步将保定高新区打造成中科院半导体研究所成果转化基地，推进半导体材料及

中国粉体网10月25日讯 有机硅领域的巨头美国道康宁公司（Dow Corning）正在碳化硅（SiC）研发上发力。 　　近日，道康宁全球总裁、CEO韩山柏（Robert D. Hansen）表示，道康宁在碳化硅领域的下一个投资重点将在亚洲。 　　碳化硅是道康宁硅基技术的一项关键品，主要有三个应用领域：新能源汽车电池、电网还有高铁轨道交通。在这三块方面，目前中国都是发展最快的市场。 　　碳化硅可提升新能源汽车的续航能力。在高铁领域，碳化硅晶圆能够加快在高功率下动力来源的切换速度，提高能源效率。“今天碳化硅半导体组件已经替代硅半导体组件

中国粉体网9月30日讯 中红外波段激光在分子光谱、气体探测、环境保护、医学、激光通讯、红外遥感及光电对抗等领域具有重要的应用，非线性光学频率变换是目前获得中红外激光的有效途径。常用的中红外非线性光学晶体（硫化物及硒化物等）受到低激光损伤阈值（

中国粉体网8月16日讯 美国地质调查局（USGS）数据显示，2009年全球碳化硅产能101万吨。主要拥有产能的国家有中国、挪威、日本、墨西哥、巴西、美国和加拿大（合计）、德国、委内瑞拉等国，其产能分别为45.5万吨、8万吨、6万吨、4.5万吨、4.3万吨、4.26万吨、3.6万吨和3万吨。 我们认为美国地质调查局的数据比较陈旧，对全球碳化硅产能的估算，特别是对中国的估算存在严重偏差。根据数据，截至2012年底，全球碳化硅产能达260万吨以上，产能达到1万吨以上的国家有13个，占全球总产能的98%。其中中国碳化硅产能达到220万吨，占全球总

碳化硅（Sic）又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。可以称为金钢砂或耐火砂。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，该材料技术还大量应用在制作电热元件硅碳棒。

中国粉体网8月9日讯 中国目前已基本建成了一套由国家标准、行业标准、地方标准和企业标准组成的标准体系或标准框架体系。目前我国碳化硅无强制性标准，推荐性标准共十四项，行业标准共五项。 　　我国现执行的碳化硅产品技术条件国家标准（GB/T2480—2008），根据不同用途分牌号规定了粒度组成、化学成分、磁性物含量、铁合金粒、密度等项目，相对应的检测分析方法全部等同或等效采用了最新版本的国际标准ISO8486（F磨料粒度组成）、ISO6344（P磨料粒度组成）、ISO9286（化学分析方法）和欧洲磨料生产者协会标准FEPA42GB、FEPA43GB、F

Microsemi公司1月15日宣布推出了新一代碳化硅（SiC）标准电源模块，非常适用于大功率开关模式电源供应器、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。该电源模块系列还扩展了温度范围，以满足新一代电源转换系统对于功率密度、工作频率和效率的更高要求。 SiC技术比硅材料提供更高的击穿电场强度和更好的热传导性，从而提高性能参数，包括零反向恢复、不受温度影响反应、耐压能力和运行温度，使性能、效率和可靠性迈向新高度。 Microsemi的新SiC电源模块具有多种电路拓扑结构，可集成到小型封装。新模块

世界贸易组织(WTO)已裁定，中国针对9种原资料的出口限制政策违反了WTO相关规定。 　　此次争端肇端于2009年6月，欧盟与美国将中国的原资料出口限制政策告上WTO。WTO相关人士则向本报暗示，“今朝处于保密阶段，不克不及流露裁决内容”。 　　另一位接近WTO不肯流露姓名的新闻人士对本报流露说，WTO争端解决机制本年4月已将裁决成绩通知各方，并将在7月1日之前发布成绩。 　　此前的2月，已有新闻声称，WTO就此事务颁布颁发了初步陈述，并称该裁决成绩对中国晦气。 　　此案涉及的原资料包孕铝土、焦炭、萤石、镁、锰、硅铁、硅化碳、黄磷

山东天岳先进材料科技有限公司成立于2010年10月,是一家致力于半导体晶体材料的研发、生产和技术服务的高科技企业。公司依托山东大学晶体材料国家重点实验室(中国晶体领域唯一重点实验室),是山东大学承担的国家“973”和“863”计划碳化硅(SiC)重大项目产业化基地和联合研发中心。 　　在已故著名科学家中国科学院蒋民华院士的带领下,经过十多年艰苦努力,突破层层技术障碍,打破国外垄断,成为世界上少数几个掌握此技术的单位之一,目前技术成熟可靠。 　　公司产品主要有2英寸、3英寸、4英寸N型和半绝缘型半导体碳化硅单晶衬底,广泛应用于大功率高频电子器件

德国爱思强股份有限公司今天宣布，昭和电工（日本，秩父）在其现有爱思强设备基础上，增购一套热壁碳化硅化学气相沉积行星式反应器。该化学气相沉积(CVD)系统可同时处理10片100mm晶圆或6片150mm晶圆，将被应用于针对一系列电力电子应用及元件类型（例如太阳能发电模块、交直流转换及工业电机控制的逆变器系统）在碳化硅(SiC)基底上生长同质外延材料。 通过新系统的应用，昭和电工将可提高现有直径为100mm晶圆的产量，并可拓展至更大直径的150mm碳化硅晶圆的生产，该种晶圆目前已可从半导体材料供应商处购得。实现对更大晶圆的生产将可在降低成本的同时