据银川海关统计，今年上半年宁夏对外贸易进出口总额达11.2亿美元，同比增长30.4%。其中，进口3.8亿美元，同比增长8.6%；出口7.4亿美元，同比增长45%。这也是该区对外贸易在半年内首次突破11亿美元。 　　据介绍，今年以来，宁夏进口产品受国际大宗原料市场影响，4月份进口大幅下降48%，5月份又大幅增长71%。而出口各月增长稳定，月均增长40%以上，尤其6月份出口13929万美元，创2008年以来出口新高。从整体情况看，今年上半年宁夏重点出口产品大幅增长，其中钽铌制品、铁合金、碳化硅名列前三，18项重点出口产品总值达6.1亿美元，同比增长4

15日，山东部分绿碳化硅生产企业负责人称，山东绿碳化硅市场目前依旧不乐观，产品价格持续下跌。 　　8月初，山东绿碳化硅粒度砂报价在12500元/吨--13000元/吨，绿碳化硅块报价在8200元/吨—8300元/吨。截至记者发稿前，在不到两周的时间内，绿碳化硅粒度砂降了将近2000元，现在报价在11000元左右；绿碳化硅块价相较于本月初下跌不大，依旧在8200元左右，但是相较于6月初的9500-9600元/吨，情况还是不乐观。 　　一绿碳化硅生产企业负责人向记者表示，目前绿碳化硅市场价持续下滑，给企业生产造成很大影响，企业盘旋在停产边缘，目前

今年以来，鸡东县努力在商贸流通、物流仓储、特色农业等产业的利用外资上寻求突破，培育引资增长点，为全县经济快速增长提供了新的动力。引进日本独资企业松见研磨材有限公司，建设年产4000吨高纯精细碳化硅微粉项目，上半年该公司生产碳化硅微粉2302吨，同比增长48%，实现销售收入4009万元，同比增长267%。

8月1日，国家发改委发布《关于完善太阳能光伏发电上网电价政策的通知》，明确今年7月1日前后核准的光伏发电项目的上网电价分别为每千瓦时1.15元和1元。市场期待国内市场能及时启动，而光伏上网标杆电价出台，被认为是我国光伏产业的重大利好，有利于扭转我国太阳能产业过度依赖海外市场的现状。 　　 　　欧洲政策迫使国内光伏上网电价出台提速 　　 　　由于欧洲光伏市场暂时出现了一些不确定因素，使得严重依赖出口的我国光伏制造业陷入了低谷。“加快国内市场发展”的呼声也日益高企。而要加快国内光伏市场发展，一个最关键的问题就是上网电价。 　　由于此前

记者获悉，位于鸡西市鸡东县的日本独资企业松见研磨材有限公司，建设年产4000吨高纯精细碳化硅微粉项目，上半年该公司生产碳化硅微粉2302吨，同比增长48%，实现销售收入4009万元，同比增长267%。

从天祝县工信局获悉，去年，该县碳化硅实际产量9.6万吨，实现工业增加值2.1亿元，占全县工业增加值的31%。在建碳化硅项目21个，设计生产能力138.5万吨，预计年底可达40万吨。 　　 “经过几年发展，我县碳化硅产业从无到有，快速发展，初步培育了一批碳化硅冶炼、锻砂、细粉加工企业”，该县工信局局长杜文寿说，至目前，已建成11个碳化硅企业，生产能力为26万吨。 天祝县位于甘肃武威市东端，地处青藏、内蒙古、黄土三大高原交汇处，海拔于2040米至4878米

2011年度碳化硅出口配额第二次公开招标将于2011年7月11日开始。根据《出口商品配额招标办法》及《关于印发〈工业品出口配额招标实施细则〉的通知》（外经贸贸发[2001]626号）的有关规定，现将有关事项公告如下： 　　一、 招标商品名称及范围 　　碳化硅 　　商品海关编码： 　　28492000 碳化硅 　　38249099.10 粗制碳化硅（按重量计碳化硅含量大于15%） 　　二、招标数量 　　本次碳化硅公开招标数量：8.64万吨 　　三、招标时间 　　投标时间：2011年7月11日-

厦门大学材料学院日前突破了具有光电特性的连续碳化硅（SiC）自由薄膜关键技术，制备出多种组分PCS先驱体，掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的工艺。目前，该技术已申报6项国家发明专利，并形成了连续SiC自由薄膜材料小批量生产能力。 　　据介绍，该项目的主要创新点为：将熔融纺膜与先驱体转化法相结合，制备出新型功能性连续SiC自由薄膜（厚度8～100微米、宽度20毫米、连续长度＞100米）；从原料的合成阶段引入异质元素改性，制备出了耐超高温、低电阻率及高频发光特性的连续SiC(Al)自由薄膜，以及适合太阳能电池窗口材料的P型光伏薄膜

今年上半年，中国共出口了1064,2220吨碳化硅，占出口配额总量的49%。与去年同期相比，今年的出口量增长129%。中国碳化硅出口量居前五位的国家和地区是日本、美国、中国台湾、韩国和泰国， 出口量分别为39,6683吨、35,2281吨、101662吨、97104吨和1,7594吨。

日前，西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功制备出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加烧结助剂的条件下获得了接近理论密度的纯碳化硅块体陶瓷材料，标志着西安交大在陶瓷研究方面获得重要进展。 　　物理气相传输法(HTPVT)是制备单晶碳化硅的常用方法，在材料学院碳化硅单晶材料研究的基础上，戴培赟在研究工作中进行了不同原料密度和烧结工艺的对比试验，建立了碳化硅多晶陶瓷的生长模型，并从热力学和动力学角度解释了碳化硅多晶生长的原理。此方法完全不同于现有的碳化硅陶瓷的制备工艺，获得的材料具有优异的性能，