Si3N4-AMB覆铜基板通过活性金属钎焊(AMB)工艺形成的铜/陶瓷界面粘结强度高,且同时兼顾了优异的机械性能和良好的导热性,是SiC器件封装基板的首选。
2022年09月13日 更新如果将GaN中的一部分Ga替换为较轻的Al并制成AlGaN(氮化铝镓),则将获得具有优异的介电击穿电阻的晶体,具有更高介电击穿电阻的AlGaN作为下一代功率电子材料被寄予厚望。
2022年08月30日 更新山田集团凭借机敏的创新意识和厚实的技术积累,深入布局先进陶瓷、精密切割、智能装备三大板块,立志成为全球先进陶瓷材料制造基地。
2022年08月12日 更新