俄罗斯科学院结构宏观力学和材料学研究所改进了用碳化硅制造陶瓷零件的技术，相关研究报告发表在《国际陶瓷》杂志上。

8月17日，天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式在北京大兴举行。

作为我国著名微电子学与固体电子学家，郝跃院士开拓和引领了我国第三代（宽禁带）半导体材料与器件的发展

近年来，伴随新材料应用越来越广泛，碳化硅陶瓷膜也逐步被市场接受和认可。“碳化硅陶瓷膜具有不断丝、水质稳定等优势，可以长时间不用更换，全生命周期成本更低”山东赛利科膜科技有限公司（以下称“赛利科膜”）董事长郭健在接受采访时表示。

8月9日晚间，露笑科技公告称，公司于8月8日与合肥市长丰县人民政府签署了《合肥市长丰县与露笑科技股份有限公司共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园的战略合作框架协议》。

近日，碳化硅功率半导体方案提供商忱芯科技(UniSiC)完成了由原子创投独家投资数千万元人民币天使轮融资，此次融资将用于碳化硅功率半导体产品研发和批量生产。

《泉州市新材料产业六大重点领域发展实施方案》出台

目前，忱芯科技基于最新一代NXP GD3100驱动芯片、具有车规级功能安全的SiC功率半导体模块智能数字驱动电路已完成开发。

2020年7月份刚玉碳化硅行情简报

据悉，该项目计划总投资6.95亿元，项目主要采用碳化硅升华法长晶工艺及SiC衬底加工工艺，引进具有国际先进水平的6英寸导电晶体生长炉、4英寸高纯半绝缘晶体生长炉等设备，购置多线切割机、抛光机等国产设备，建成后形成年产8.8万片碳化硅衬底片的生产能力。