第一代半导体硅经过几十年的发展,产业发展和基础研究齐头并进,基础扎实。相比之下,日本人开始研究第三代半导体时,很多人认为氮化镓材料的缺陷太多,难以做成高效光电器件。没想到日本竟然把蓝光LED做出来了,紧跟着就是市场的快速爆发。“市场发展非常快,基础研究却跟不上了。”夏建白说,这是目前第三代半导体发展面临的困境。
2018年11月12日 更新以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。
2018年09月04日 更新8月26日,国产002航母山东舰结束了与辽宁舰105天的同框合影之后,在拖船的拖带下,驶离码头,开始第二次试航。据估计,此次山东舰的试航时间持续近2个星期,将进行包括舰载机调度在内的一系列测试。
2018年09月04日 更新再结晶SiC的研发,国外已有40年的历史,国内依靠国外的技术、设备和关键原材料在15年前起步研究,目前无自主知识产权,各方面都受制于国外,其研发情况不容乐观。
2018年08月27日 更新中科院长春光机所研制的直径4.03米口径高精度碳化硅非球面反射镜,是目前世界上口径最大的单体碳化硅反射镜。它标志着我国光学系统先进制造能力达到了国际先进水平;同时为我国大口径光电装备跨越升级奠定了坚实基础。其核心制造设备以及制造工艺具有完全自主知识产权。
2018年08月27日 更新8月21日,由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(中科院长春光机所)承担的国家重大科研装备研制项目“4米量级高精度碳化硅(SiC)非球面反射镜集成制造系统”在吉林长春通过项目验收,项目完成的4.03米口径高精度碳化硅非球面反射镜是世界上迄今公开报道的最大口径单体碳化硅反射镜。
2018年08月22日 更新碳化硅是强共价化合物,原子扩散能力低,因此在高温下很难烧结致密。为了促进烧结、降低烧结温度,通常需要添加高温烧结助剂来实现。
2018年08月21日 更新