12月2日，浙江博蓝特半导体科技股份有限公司与浙江金华开发区签署项目投资协议，博蓝特计划投资10亿元，在开发区建设年产15万片第三代半导体碳化硅衬底及年产200万片用于Mini/Micro-LED显示技术的大尺寸蓝宝石衬底研发及产业化项目。

国瓷材料、山东天岳、日辉新材料等入选5G产业方向试点示范企业。

全球碳化硅（SiC）技术领先企业科锐（Cree Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与ABB电网事业部宣布达成合作，共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。

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高纯石墨、碳化硅、除尘设备等261项行业标准报批公示。

近日，北京绿能芯创公司与高新区管委会碳化硅项目签约仪式在齐盛国际宾馆举行。该项目总投资20亿元，建成后三年内可实现年产12万片碳化硅芯片，销售额10亿元，且三年后增长速度不低于30%。

随金牛座纳星运行了37天的碳化硅MEMS（微机电系统）微推力器阵列芯片接受地面点火指令成功点火，在轨验证了对金牛座纳星的姿态控制技术。

27日,第三代半导体及智能制造国际研讨会在如皋举行。会上,中乌第三代半导体产业技术研究院宣布成立并落户如皋。

Cree公司声明，Cree正在朝着其计划在Marcy Nanocenter建造的制造工厂实现2022年生产碳化硅晶片的目标取得进展。

从世界范围看，高端碳化硅市场正逐步形成，对我国相关企业实现转型和产业升级是一次良好的机遇。