据悉，该项目计划总投资6.95亿元，项目主要采用碳化硅升华法长晶工艺及SiC衬底加工工艺，引进具有国际先进水平的6英寸导电晶体生长炉、4英寸高纯半绝缘晶体生长炉等设备，购置多线切割机、抛光机等国产设备，建成后形成年产8.8万片碳化硅衬底片的生产能力。

第三代半导体材料是我国“新基建”战略的重要组成部分，作为第三代半导体的代表材料，碳化硅具有非常卓越的性能，在未来新基建中有着巨大的市场前景。

西咸新区空港新城在北京与中科钢研节能科技有限公司、国宏中晶集团有限公司共同就碳化硅半导体新材料及激光陀螺仪制造两个“高精尖”项目正式签订投资协议

半导体行业周报（7.14~7.24）

7月20日，总投资达160亿元的湖南三安半导体项目正式开工，未来有望在长沙形成新的半导体材料千亿产业链。长沙市委书记胡衡华参加仪式并宣布项目开工。

很多人可能想象不到，作为全球最先进的第三代半导体材料之一，这样一片厚度仅有0.5毫米的“碳化硅”晶片，市场售价却高达2000美元。

碳化硅衬底作为第三代半导体产业的基础材料，具有较高的应用前景和产业价值，在我国半导体产业发展中具有重要的战略地位。长期以来，碳化硅衬底的核心技术和市场基本被欧美发达国家垄断，并且产品尺寸越大、技术参数水平越高，其技术优势越明显。

通过雄厚的技术储备和在新兴领域的开拓来弥补传统市场的萎缩，在企业实现高质量发展的同时，也赢得了高端市场。

7月14日，上交所正式受理了北京天科合达半导体股份有限公司（简称“天科合达”）科创板上市申请。

电动车已成为汽车市场主流，多数电动车仍是以硅材料的 IGBT 来作逆变器芯片模组，是功率半导体在电动车领域的技术主流。但自从特斯拉 Tesla 推出 Model 3，在逆变器模组上采用碳化硅 SiC 后，碳化硅这类新型半导体材料越来越受重视。