随着此类第三代半导体材料具有更高效节能、更高功率等优势，更适用在5G通讯、超高压产品如电动车领域，未来市场成长看好。

碳化硅一周资讯（3.1-3.8）

碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势，在电动汽车、电源、军工、航天等领域具有广阔的市场前景。

2月28日上午，中国电科(山西)碳化硅材料产业基地举行投产仪式。按照疫情防控相关要求，此次活动以视频方式举行。

受益于此，比亚迪汉有条件采用更领先的技术，实现更高性能。特别是首次应用“高性能碳化硅MOSFET电机控制模块”，助力比亚迪汉EV的0-100km/h加速仅需3.9秒！

碳化硅纤维全景图

2月24日，露笑科技公布，公司根据公司经营发展需要，公司拟在诸暨市出资设立全资子公司浙江露笑碳硅晶体有限公司(暂定名，具体以登记机关核准为准，”露笑碳硅“)。注册资本拟为1亿元，此次设立在授权范围内，无须提交董事会审议。

中科院长春光机所日前在高精度大口径轻质碳化硅反射镜研制中取得新进展，并将在今年上半年完成精加工，这将推进国家重点研发计划专项“静止轨道高分相机系统技术”如期完成。

GaN材料具备高功率、高频率、高导热等优势，所做充电芯片实现了输出大功率的同时保持充电器体积可控。

作为第三代半导体材料“双雄”之一，碳化硅（SiC）凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能表现，成为当今最受关注的半导体材料之一。国内不乏SiC势力，中科钢研就是其一。