9月16日，ICSCRM 2022在瑞士达沃斯圆满落幕，天岳先进参加会议并就8英寸碳化硅衬底最新研发情况作出汇报。

中国电科产业基础研究院（13所）实现车规级高压碳化硅MOSFET批量生产。

Si3N4-AMB覆铜基板通过活性金属钎焊（AMB）工艺形成的铜/陶瓷界面粘结强度高，且同时兼顾了优异的机械性能和良好的导热性，是SiC器件封装基板的首选。

随着陶瓷、锂电行业的腾飞发展，窑具迎来了更广阔的市场空间。

近日，江苏超芯星总投资65亿元的第三代半导体碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目签约落地南京！

近些年，碳化硅热度疯狂飙升，整个产业链都忙得不亦乐乎。

如果将GaN中的一部分Ga替换为较轻的Al并制成AlGaN（氮化铝镓），则将获得具有优异的介电击穿电阻的晶体，具有更高介电击穿电阻的AlGaN作为下一代功率电子材料被寄予厚望。

近日，中国电科2所激光剥离项目取得突破性进展。

在近日发布的《产业基础创新发展目录（2021年版）》，多项陶瓷材料及相关设备入选。

楚江新材在互动平台表示，子公司顶立科技的碳材料产品可用于第三代半导体碳化硅及金刚石的生长。