一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉

第三代半导体指的是SiC、GaN、ZnO、金刚石（C）、AlN等具有宽禁带（Eg＞2.3eV）特性的新兴半导体材料。碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料。

Soitec 近日发布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC™ 晶圆。

近期，中科院物理研究所成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶体，并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片。

2022年4月26日， Wolfspeed宣布其位于美国纽约州莫霍克谷的采用领先前沿技术的 SiC 制造工厂正式开业。

近日，顶立科技收到了国家科技部的感谢信，感谢顶立科技对“十三五”国家科技创新成就展活动的大力支持。

山西天成半导体6英寸碳化硅衬底项目即将投产。

近日，瀚天天成碳化硅产业园二期顺利竣工，并于3月底进行联合验收，项目计划今年二季度投产。

韩国将成立碳化硅产业联盟。

近日，金博股份发布公告称，公司与北京天科合达半导体股份有限公司经友好协商，双方已达成战略合作意向并签署了《战略合作协议》。